界面磁気結合を活用した新規水素吸蔵機能の創出

• 研究課題/領域番号: 23K26542
• 補助金の研究課題番号: 23H01849 (2023)
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金 (2024); 補助金 (2023)
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
• 研究機関: 名古屋大学
• 研究代表者: 宮町 俊生 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 准教授 (10437361)
• 研究分担者: 小澤 孝拓 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (20910144)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 19,240千円 (直接経費: 14,800千円、間接経費: 4,440千円); 2025年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円); 2024年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円); 2023年度: 11,440千円 (直接経費: 8,800千円、間接経費: 2,640千円)
• キーワード: 水素吸蔵金属 / 界面磁気結合 / 水素吸蔵特性 / 走査トンネル顕微鏡

研究開始時の研究の概要

水素吸蔵金属であるPd薄膜を強磁性薄膜(FM)上に積層してd/FM薄膜ヘテロ構造を作製し、磁気近接効果を利用してPdに磁化を誘起させる。そして、Pd/FM薄膜ヘテロ構造の界面磁気結合状態を変化させた際にPd薄膜のd軌道の電子密度分布に現れる変調を原子スケールかつスピン・軌道分解して調べ、水素吸蔵特性を向上させる基本原理をミクロに解明し、磁性による新規水素吸蔵機能の創出に取り組む。