研究課題/領域番号 |
23K26542
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
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研究機関 | 名古屋大学 |
研究代表者 |
宮町 俊生 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 准教授 (10437361)
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研究分担者 |
小澤 孝拓 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (20910144)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円)
2025年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2024年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
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キーワード | 水素吸蔵金属 / 界面磁気結合 |
研究開始時の研究の概要 |
水素吸蔵金属であるPd薄膜を強磁性薄膜(FM)上に積層してd/FM薄膜ヘテロ構造を作製し、磁気近接効果を利用してPdに磁化を誘起させる。そして、Pd/FM薄膜ヘテロ構造の界面磁気結合状態を変化させた際にPd薄膜のd軌道の電子密度分布に現れる変調を原子スケールかつスピン・軌道分解して調べ、水素吸蔵特性を向上させる基本原理をミクロに解明し、磁性による新規水素吸蔵機能の創出に取り組む。
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