自在積層したRashba・トポロジカル系原子層薄膜のスピン電子状態の解明

• 研究課題/領域番号: 23K26546
• 補助金の研究課題番号: 23H01853 (2023)
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金 (2024); 補助金 (2023)
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
• 研究機関: 早稲田大学
• 研究代表者: 高山 あかり 早稲田大学, 理工学術院, 准教授 (70722338)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円); 2025年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円); 2024年度: 5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円); 2023年度: 7,930千円 (直接経費: 6,100千円、間接経費: 1,830千円)
• キーワード: ヘテロ積層界面 / 自在積層 / 原子層薄膜 / スピン軌道相互作用

研究開始時の研究の概要

本研究では，Rashba・トポロジカル型スピン偏極電子状態をもつV族半金属Sb, Biを用いた“テーラーメイドな積層構造材料”を新たに作成・体系化し，これらの構造解析と物性測定手法を確立するとともに，その構造決定と電子状態の解明を行うことを目的とする．電子回折やSTMによる試料作製・評価，種々の光電子分光による電子状態測定とバンド計算，陽電子回折とX線CTR散乱を組み合わせた構造解析から，２次元面内では結晶周期をもつが３次元方向において長周期あるいは非周期の構造をとるような薄膜積層構造から得られた新たな知見をもとに，新規積層材料から創発され新奇量子現象の学理構築を目指す．