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自在積層したRashba・トポロジカル系原子層薄膜のスピン電子状態の解明
研究課題
サマリー
2024年度
基礎情報
研究課題/領域番号
23K26546
研究種目
基盤研究(B)
配分区分
基金
応募区分
一般
審査区分
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
研究機関
早稲田大学
研究代表者
高山 あかり
早稲田大学, 理工学術院, 准教授 (70722338)
研究期間 (年度)
2024-02-28 – 2026-03-31
研究課題ステータス
採択 (2024年度)
配分額
*注記
10,920千円 (直接経費: 8,400千円、間接経費: 2,520千円)
2025年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
2024年度: 5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)