研究課題/領域番号 |
23K26554
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補助金の研究課題番号 |
23H01861 (2023)
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 (2024) 補助金 (2023) |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分29030:応用物理一般関連
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研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
研究代表者 |
岡崎 雄馬 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 主任研究員 (60738277)
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研究分担者 |
吉見 龍太郎 東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 准教授 (40780143)
川村 稔 国立研究開発法人理化学研究所, 創発物性科学研究センター, 専任研究員 (60391926)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
19,370千円 (直接経費: 14,900千円、間接経費: 4,470千円)
2025年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2024年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2023年度: 14,300千円 (直接経費: 11,000千円、間接経費: 3,300千円)
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キーワード | 量子抵抗標準 |
研究開始時の研究の概要 |
近年、磁性トポロジカル絶縁体薄膜において、ゼロ磁場でホール抵抗が量子化される現象「量子異常ホール効果」が発見された。この現象では、量子化抵抗の観測に強磁場が不要であることから、これまで抵抗標準として利用されてきた強磁場下の現象「量子ホール効果」を置き換える可能性に注目が集まっている。しかし抵抗標準への応用には、臨界電流や動作温度の向上、ならびに量子化抵抗の普遍性の検証といった基礎研究が必要である。本研究では、磁性トポロジカル絶縁体薄膜の成膜条件や膜構造・素子構造を最適化し臨界電流・動作温度を改善し、高精度抵抗測定に基づく量子化抵抗の普遍性検証を行う。
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