研究課題/領域番号 |
23K26556
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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研究機関 | 筑波大学 |
研究代表者 |
奥村 宏典 筑波大学, 数理物質系, 助教 (80756750)
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研究分担者 |
堀田 昌宏 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (50549988)
井村 将隆 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主幹研究員 (80465971)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
14,040千円 (直接経費: 10,800千円、間接経費: 3,240千円)
2026年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2025年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2024年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
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キーワード | パワーデバイス / 窒化物半導体 / 高温デバイス / ワイドギャップ半導体 / 縦型デバイス |
研究開始時の研究の概要 |
低炭素社会に向けて、低損失かつ高出力素子普及の社会的要請が高まっている。窒化アルミニウム(AlN)は絶縁破壊電界強度が最も大きい半導体であり、高耐圧AlN素子の作製は、半導体素子の性能限界への探求に繋がる。しかし、報告されているAlN素子は横型構造に限られており、AlN本来の性能が発揮できていない。本研究では、縦型AlN素子の動作実現に向けた作製技術を確立する。独自の手法としてAlN結晶の性質に着目し、接合バリアショットキーダイオードを作製する。
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