研究課題
基盤研究(B)
本研究では申請者が開発してきた大規模第一原理計算手法を用い、パワー半導体窒化ガリウム(GaN)におけるMgイオン注入によって生じる様々な欠陥構造とMg原子から形成される複合構造の探索と安定性の研究を行う。特に空隙、積層欠陥、ピラミッド型極性反転領域等とMg原子で構成される大規模系に対する全原子第一原理計算を行い、これら欠陥と不純物の複合構造モデリングを行う。構造モデリングでは、構造探索の際に現れる多様な局所構造を教師なしの機械学習に基づいた最新の解析手法を用いた分類、解析を行う。