研究課題
基盤研究(B)
物質中のキャリア濃度を自在に制御することは物性科学者の夢である。しかしながら、現実には絶縁体への高濃度キャリアドープは一般に困難であり、価数の異なるイオンによる化学置換などによる平衡条件下でのドープ量には限界があり、結晶構造の変化など望まないことが生じてしまう。本研究では、水素イオンを電場で加速して非平衡条件下で試料に導入する水素イオンビーム照射による非平衡キャリアドープ法を用いて、超高濃度のキャリアドープによる新規超伝導・機能物質の創成を行う。