集積ホウ素空軌道のエンジニアリングに基づく新材料創製

• 研究課題/領域番号: 23K26638
• 補助金の研究課題番号: 23H01945 (2023)
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金 (2024); 補助金 (2023)
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分33010:構造有機化学および物理有機化学関連
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 庄子 良晃 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 准教授 (40525573)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円); 2025年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円); 2024年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円); 2023年度: 7,020千円 (直接経費: 5,400千円、間接経費: 1,620千円)
• キーワード: ホウ素 / ルイス酸 / 反応開発 / 光電子機能 / 有機半導体 / 有機エレクトロニクス / 空軌道 / 電子受容体 / 化学結合

研究開始時の研究の概要

本研究では、ホウ素の空軌道が重なり合うように集積化したアレイ(=空軌道アレイ)を構築し、それらの性質を活かした新たな物質・エネル ギー変換材料の開拓に取り組む。空軌道アレイは、新反応、新機能、新現象を探求するための格好のプラットフォームを提供すると期待できる ものの、その設計指針は未開拓である。本研究を通じて、ホウ素空軌道を自在にエンジニアリングする分子設計と手法を確立し、新機能材料創 出を目指す。