| 研究課題/領域番号 |
23K26745
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| 補助金の研究課題番号 |
23H02052 (2023)
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 基金 (2024)
補助金 (2023) |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分36010:無機物質および無機材料化学関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
谷口 尚 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, センター長 (80354413)
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| 研究分担者 |
増山 雄太 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所 量子機能創製研究センター, 主任研究員 (00814790)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2025年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2024年度: 6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
2023年度: 11,180千円 (直接経費: 8,600千円、間接経費: 2,580千円)
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| キーワード | 窒化ホウ素単結晶 / 高圧合成 / カラーセンター / 量子センシング / 立方晶窒化ホウ素 / 六方晶窒化ホウ素 / 量子機能探索 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
窒化ホウ素（BN）は炭素と類似の結晶構造を有し、黒鉛型の六方晶(hBN)とダイヤモンド型の立方晶(cBN)が、それぞれ耐熱材料、硬質材料等として産業応用されている。このBNの応用で近年新たな半導体材料としての 展開が進みつつある。 本研究の目的は、高純度BN単結晶への欠陥形成による新たな機能発現として、hBN 及びcBN単結晶によるポストNVセンターとなる量子機能発現 などの基礎となる単一光子機能、スピン欠陥等の開拓・制御手法を確立することである。 これまでに獲得したBN結晶におけるppbレベルの不純物制御と同位体濃縮技術への深い洞察を基礎とした、BNの新たな量子機能の開拓を目的とする。
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