研究課題/領域番号 |
23KF0136
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研究種目 |
特別研究員奨励費
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 外国 |
審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
長谷川 幸雄 東京大学, 物性研究所, 教授 (80252493)
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研究分担者 |
LI WENBIN 東京大学, 物性研究所, 外国人特別研究員
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研究期間 (年度) |
2023-09-27 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
2025年度: 400千円 (直接経費: 400千円)
2024年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
2023年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
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研究開始時の研究の概要 |
単層磁性薄膜が実現されると期待されるCrBr3などの分子線蒸着源を用意し、グラフェン・金属基板・超伝導基板上での単層薄膜生成を試みる。蒸着条件を調整することで所望の薄膜を作製するための最適な条件を見出し、走査トンネル顕微鏡を用いて、原子レベルでも欠陥の無い単層薄膜構造を実現する。
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