研究課題/領域番号 |
23KF0150
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研究種目 |
特別研究員奨励費
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 外国 |
審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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研究機関 | 京都大学 |
研究代表者 |
白石 誠司 京都大学, 工学研究科, 教授 (30397682)
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研究分担者 |
GROEN INGE 京都大学, 工学研究科, 外国人特別研究員
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研究期間 (年度) |
2023-09-27 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
2025年度: 400千円 (直接経費: 400千円)
2024年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
2023年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
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研究開始時の研究の概要 |
本研究では(A) シリコン/重金属ショットキー障壁を介した高効率スピン流ー電流変換の実現と高出力MESOデバイスの実現、(B) 強磁性体のスピン流ー電流変換現象を用いたスイッチャブルMESOデバイスの実現および(C) 強誘電スピン軌道メモリデバイスの実現を目指した研究を行い、半導体、特にシリコンにおけるスピン流ー電流変換現象の学理解明、および当該効果を利用した新奇スピンデバイスの創成を目指す。
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