ハロゲン化鉛ペロブスカイトナノ粒子は、100%近い非常に高い発光量子効率、そして量子閉じ込め効果やハロゲン置換を利用することによる可視域全域にわたるバンドギャップ可変性などの優れた発光特性をもつ半導体材料である。近年、単一のペロブスカイトナノ粒子は単一光子源や偏光もつれ光子対発生などの量子光源への応用が期待されている。このような光源への応用のためには、液体ヘリウム温度下においてナノ粒子発光のエキシトン微細構造を制御することが重要となる。本研究では、ペロブスカイトナノ粒子の電場印加による光物性制御について研究する。
|