スピンホールナノオッシレータのアレイ化による狭線幅RF磁場の生成と応用

• 研究課題/領域番号: 23KK0092
• 研究種目: 国際共同研究加速基金(海外連携研究)
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 中区分29:応用物理物性およびその関連分野
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 金井 駿 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (40734546)
• 研究分担者: 土肥 昂尭 東北大学, 電気通信研究所, 助教 (20972376) ; 石原 淳 東北大学, 工学研究科, 特任助教 (50801156)
• 研究期間 (年度): 2023-09-08 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 21,060千円 (直接経費: 16,200千円、間接経費: 4,860千円); 2026年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円); 2025年度: 6,890千円 (直接経費: 5,300千円、間接経費: 1,590千円); 2024年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円); 2023年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
• キーワード: スピントロニクス / スピンホールナノオッシレーター

研究開始時の研究の概要

本研究では金属磁性体に幅数十ナノメートルの狭窄部分を設け、電流により磁化発振を行うスピンホールナノオッシレータ(SHNO)素子を調べる。近年、SHNO素子を複数近接させて作製する事により高品質な高周波磁場生成が可能であることが示された。同期発振により磁性体から生じる高周波磁場スペクトルの狭帯域化と高出力化が可能である。本研究では特に、アレイ化SHNO素子の発振特性の素子ジオメトリ依存性を調べ、高効率かつ高品質な高周波磁場源としてのアレイ化SHNO素子作製のための要素技術を確立する。