| 研究課題/領域番号 |
24226005
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
土肥 俊郎 九州大学, 産学連携センター, 特任教授 (30207675)
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| 研究分担者 |
佐野 泰久 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (40252598)
黒河 周平 九州大学, 大学院工学研究院, 教授 (90243899)
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| 連携研究者 |
大西 修 宮崎大学, 工学教育研究部, 准教授 (50315107)
畝田 道雄 金沢工業大学, 工学部, 教授 (00298324)
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| 研究協力者 |
會田 英雄 並木精密宝石(株), NJC研究所, 所長
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| 研究期間 (年度) |
2012-05-31 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
215,280千円 (直接経費: 165,600千円、間接経費: 49,680千円)
2015年度: 26,910千円 (直接経費: 20,700千円、間接経費: 6,210千円)
2014年度: 26,910千円 (直接経費: 20,700千円、間接経費: 6,210千円)
2013年度: 92,430千円 (直接経費: 71,100千円、間接経費: 21,330千円)
2012年度: 69,030千円 (直接経費: 53,100千円、間接経費: 15,930千円)
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| キーワード | プラズマ融合CMP / 加工効率 / 表面粗さ / 難加工材料 / フェムト秒レーザ / CMP / P-CVM / 疑似ラジカル場 / 超難加工材料 / 疑似ラジカル / 加工レート / 超難加工結晶 / 融合加工装置 / フェムト秒(Fs)レーザ / SiC, GaN, ﾀﾞｲﾔﾓﾝﾄﾞ / 超押し込み実験 / TEM / PCVM / SiC, GaN, ダイヤモンド / 超押し込み試験 |
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| 研究成果の概要 |
グリーンデバイス用ダイヤモンド、GaN、SiCなど超難加工材料の高効率加工技術の確立を目指し、基板に疑似ラジカル場を付与する前処理工程(1)、および世界初の“Plasma fusion CMP（プラズマ融合CMP）”工程(2)を提案した。
(1)フェムト秒レーザ照射によってアモルファス化・微細リップル構造化され、化学的安定している表面が酸化される相乗効果で研磨/CMPが促進されることを明らかにした。
(2)プラズマ融合CMP の2方式機種(A-type：基本型, B-type：挑戦型)を考案・試作した。本加工法で仕上げたダイヤモンド基板へのエピ成長を試みデバイス形成に適す表面であることを実証した。
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| 評価記号 |
検証結果 (区分)
A
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評価記号 |
評価結果 (区分)
A-: 当初目標に向けて概ね順調に研究が進展しており、一定の成果が見込まれるが、一部に遅れ等が認められるため、今後努力が必要である
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