• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

希土類添加窒化物半導体における赤色発光機構の解明/制御による高輝度発光素子の開発

研究課題

研究課題/領域番号 24226009
研究種目

基盤研究(S)

配分区分補助金
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関大阪大学

研究代表者

藤原 康文  大阪大学, 工学研究科, 教授 (10181421)

研究分担者 吉田 博  大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (30133929)
小泉 淳  大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (30418735)
児島 貴徳  大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (70725100)
寺井 慶和  九州工業大学, 情報工学研究院, 教授 (90360049)
研究期間 (年度) 2012-05-31 – 2017-03-31
研究課題ステータス 完了 (2016年度)
配分額 *注記
212,680千円 (直接経費: 163,600千円、間接経費: 49,080千円)
2016年度: 22,620千円 (直接経費: 17,400千円、間接経費: 5,220千円)
2015年度: 45,890千円 (直接経費: 35,300千円、間接経費: 10,590千円)
2014年度: 42,640千円 (直接経費: 32,800千円、間接経費: 9,840千円)
2013年度: 49,660千円 (直接経費: 38,200千円、間接経費: 11,460千円)
2012年度: 51,870千円 (直接経費: 39,900千円、間接経費: 11,970千円)
キーワード電気・電子材料 / 薄膜 / 希土類元素 / 発光機能制御 / 発光ダイオード / エネルギー伝達機構 / 局所構造 / オプトロニクス / エネルギー輸送機構
研究成果の概要

従来の発光ダイオード(LED)とは全く発光原理が異なるEu添加GaNを用いた赤色LEDの開発に、我々は世界に先駆けて成功している。本研究では、計算機ナノマテリアルデザインとの強力な連携のもとに、Eu励起機構の解明と制御を可能とした。母体GaN励起によるEuイオンへのエネルギー輸送はEu発光中心の局所構造に大きく依存すること、Euイオンの近傍にドナーやアクセプタとなる不純物や結晶欠陥との複合体を配置することにより、エネルギー輸送効率が劇的に向上すること、ナノ超構造によりEu発光強度がさらに増大することを明らかにした。LEDを作製し、実用化レベルの高輝度化(1 mW以上)を世界で初めて達成した。

評価記号
検証結果 (区分)

A

評価記号
評価結果 (区分)

A: 当初目標に向けて順調に研究が進展しており、期待どおりの成果が見込まれる

報告書

(9件)
  • 2017 研究進捗評価(検証) ( PDF )
  • 2016 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2015 実績報告書   研究概要(研究進捗評価) ( PDF )   研究進捗評価(評価結果) ( PDF )
  • 2014 実績報告書
  • 2013 実績報告書
  • 2012 実績報告書
  • 研究成果

    (118件)

すべて 2017 2016 2015 2014 2013 2012 その他

すべて 国際共同研究 (5件) 雑誌論文 (47件) (うち国際共著 14件、 査読あり 47件、 オープンアクセス 7件、 謝辞記載あり 24件) 学会発表 (52件) (うち国際学会 17件、 招待講演 52件) 図書 (3件) 備考 (7件) 産業財産権 (4件)

  • [国際共同研究] Lehigh University/West Chester University/Ohio University(米国)

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [国際共同研究] University of Amsterdam(オランダ)

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [国際共同研究] Lehigh University/University of Mount Union(米国)

    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [国際共同研究] University of Amsterdam(オランダ)

    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [国際共同研究] University of Technology Sydney(オーストラリア)

    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [雑誌論文] Detection of In segregation in InGaN by using Eu as a probe2017

    • 著者名/発表者名
      J. Takatsu, B. Mitchell, A. Koizumi, S. Yamanaka, M. Matsuda, T. Gregorkiewicz, T. Kojima, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 470 ページ: 831-834

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2016.12.101

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Surface morphology and optical properties of Eu3+ ions incorporated into N-polar GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      R. Fuji, B. Mitchell, A. Koizumi, T. Inaba, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 470 ページ: 862-865

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2017.01.015

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Emission enhancement and its mechanism of Eu-doped GaN by strain engineering2017

    • 著者名/発表者名
      T. Inaba, B. Mitchell, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Optical Materials Express

      巻: 7 号: 4 ページ: 1381-1387

    • DOI

      10.1364/ome.7.001381

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] High-power Eu-doped GaN red LED based on a multilayer structure grown at lower temperatures by organometallic vapor phase epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      W. Zhu, B. Mitchell, D. Timmerman, A. Koizumi, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      MRS Advances

      巻: 2 号: 3 ページ: 159-164

    • DOI

      10.1557/adv.2017.67

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Synthesis and Characterization of a Novel Liquid Eu Precursor EuCppm2 Allowing for the Control of the Eu Oxidation State Ratio in GaN Thin Films Grown by OMVPE2017

    • 著者名/発表者名
      B. Mitchell, A. Koizumi, T. Nunokawa, Y. Kuboshima, T. Mogi, S. Higashi, K. Kikukawa, H. Ofuchi, T. Honma, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Materials Chemistry and Physics

      巻: 193 ページ: 140-146

    • DOI

      10.1016/j.matchemphys.2017.02.021

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Substantial enhancement of red emission intensity by embedding Eu-doped GaN into a microcavity2016

    • 著者名/発表者名
      T. Inaba, D. Lee, R. Wakamatsu, T. Kojima, B. Mitchell, A. Capretti, T. Gregorkiewicz, A.Koizumi, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 6 号: 4 ページ: 045105-045105

    • DOI

      10.1063/1.4946849

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Enhanced photo/electroluminescence properties of GaN:Eu through optimization of the growth conditions and defect environment2016

    • 著者名/発表者名
      W. Zhu, B. Mitchell, D. Timmerman, A. Uedono, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      APL Materials

      巻: 4 号: 5

    • DOI

      10.1063/1.4950826

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Investigation of optical gain in Eu-doped GaN thin film grown by OMVPE method2016

    • 著者名/発表者名
      N. N. Ha, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and T. Gregorkiewicz
    • 雑誌名

      Journal of Science: Advanced Materials and Devices

      巻: 1 号: 2 ページ: 220-223

    • DOI

      10.1016/j.jsamd.2016.06.004

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Control of GaN facet structures through Eu doping toward achieving semipolar {1-101} and {2-201} InGaN/GaN quantum wells2016

    • 著者名/発表者名
      T. Kojima, S. Takano, R. Hasegawa, D. Timmerman, A. Koizumi, M. Funato, Y. Kawakami, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 109 号: 18

    • DOI

      10.1063/1.4965844

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Optical and Electrical Study of Defects in GaN in situ doped with Eu3+ ion grown by OMVPE2016

    • 著者名/発表者名
      J. Wang, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and W. M. Jadwisienczak
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials

      巻: 45 号: 12 ページ: 6355-6362

    • DOI

      10.1007/s11664-016-4983-6

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Dimerization of emission centers in Eu-doped GaN red light-emitting diode: cooperative charge capturing using valence states coupling2016

    • 著者名/発表者名
      M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Journal of Physics: Condensed Matter

      巻: 29 号: 2 ページ: 025702-025702

    • DOI

      10.1088/0953-8984/29/2/025702

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Utilization of native oxygen in Eu(RE)-doped GaN for enabling device compatibility in optoelectronic applications2016

    • 著者名/発表者名
      B. Mitchell, D. Timmerman, J. Poplawsky, W. Zhu, D. Lee, R. Wakamatsu, J. Takatsu, M. Matsuda, W. Guo, K. Lorenz, E. Alves, A. Koizumi, V. Dierolf, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 6 号: 1

    • DOI

      10.1038/srep18808

    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Trapping of injection charges in emission centers of GaN:Eu red LED characterized with 1/f noise involved in forward current2016

    • 著者名/発表者名
      M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 1 ページ: 015801-015801

    • DOI

      10.7567/jjap.55.015801

    • NAID

      210000145898

    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Study of defects in GaN in situ doped with Eu3+ ion grown by OMVPE2016

    • 著者名/発表者名
      J. Wang, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and W. M. Jadwisienczak
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials

      巻: 45 号: 4 ページ: 2001-2007

    • DOI

      10.1007/s11664-016-4337-4

    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Nanoscale determinant to brighten up GaN:Eu red light-emitting diode: Local potential of Eu-defect complexes2015

    • 著者名/発表者名
      Masashi Ishii, Atsushi Koizumi, and Yasufumi Fujiwara
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 117 号: 15 ページ: 1553071-7

    • DOI

      10.1063/1.4918662

    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Three-dimensional spectrum mapping of bright emission centers: investigating the brightness-limiting process in Er-doped GaN red LEDs2015

    • 著者名/発表者名
      M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 107 号: 8 ページ: 0821061-4

    • DOI

      10.1063/1.4929531

    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Resonant energy transfer between Eu luminescent sites and their local geometry in GaN2015

    • 著者名/発表者名
      D. Timmerman, R. Wakamatsu, K. Tanaka, D. Lee, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 107 号: 15

    • DOI

      10.1063/1.4933301

    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Enhanced excitation efficiency of Eu ions in Eu-doped GaN/AlGaN multiple quantum well structures grown by organometallic vapor phase epitaxy2015

    • 著者名/発表者名
      T. Arai, D. Timmerman, R. Wakamatsu, D. Lee, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Journal of Luminescence

      巻: 158 ページ: 70-74

    • DOI

      10.1016/j.jlumin.2014.09.036

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Unique properties of photoluminescence excitation spectra in a Eu-doped GaN epitaxial film2015

    • 著者名/発表者名
      M. Nakayama, S. Nakamura, H. Takeuchi, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 106 号: 1

    • DOI

      10.1063/1.4905309

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] In situ Eu doping into AlxGa1-xN grown by organometallic vapor phase epitaxy to improve luminescence properties2015

    • 著者名/発表者名
      A. Koizumi, K. Kawabata, D. Lee, A. Nishikawa, Y. Terai, H. Ofuchi, T. Honma, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Optical Materials

      巻: 41 ページ: 75-79

    • DOI

      10.1016/j.optmat.2014.11.005

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Present understanding of Eu luminescent centers in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara and V. Dierolf
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FA13-05FA13

    • DOI

      10.7567/jjap.53.05fa13

    • NAID

      210000143781

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Thermodynamics and kinetics of three Mg-H-VN complexes in Mg:GaN - A combined First-Principle and experimental study2014

    • 著者名/発表者名
      D. Lee, B. Mitchell, Y. Fujiwara, and V. Dierolf
    • 雑誌名

      Physical Review Letters

      巻: 112 号: 20

    • DOI

      10.1103/physrevlett.112.205501

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] The role of donor-acceptor pairs in the excitation mechanism of Eu-ions in GaN:Eu epitaxial layers2014

    • 著者名/発表者名
      B. Mitchell, J. Poplawsky, D. Lee, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and V. Dierolf
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 115 号: 20

    • DOI

      10.1063/1.4879253

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Optical activity and external photoluminescence quantum efficiency of Eu3+ in GaN2014

    • 著者名/発表者名
      W. D. Boer, C. McConigle, T. Gregorkiewicz, Y. Fujiwara, S. Tanabe, and P. Stallinga
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 4 号: 1

    • DOI

      10.1038/srep05235

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Afterglow of Eu-related emission in Eu-doped gallium nitride grown by organometallic vapor phase epitaxy2014

    • 著者名/発表者名
      R. Wakamatsu, D. Timmerman, D. Lee, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 116 号: 4

    • DOI

      10.1063/1.4891232

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Enhancement in light efficiency of a GaN:Eu red light-emitting diode by pulse-controlled injected charges2014

    • 著者名/発表者名
      M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 105 号: 17

    • DOI

      10.1063/1.4900840

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Direct transparent electrode patterning on layered GaN substrate by screen printing of indium tin oxide nanoparticle ink for Eu-doped GaN red light-emitting diode2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Kashiwagi, A. Koizumi, Y. Takemura, S. Furuta, M. Yamamoto, M. Saitoh, M. Takahashi, T. Ohno, Y. Fujiwara, K. Murahashi, K. Ohtsuka, and M. Nakamoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 105 号: 22 ページ: 223509-223509

    • DOI

      10.1063/1.4903234

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] 希土類添加GaNとLED応用2014

    • 著者名/発表者名
      藤原康文、小泉淳
    • 雑誌名

      レーザー研究

      巻: 42 ページ: 211-215

    • NAID

      130007897579

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Vibrationally induced center reconfiguration in co-doped GaN:Eu,Mg epitaxial layers: Local hydrogen migration vs. activation of non-radiative channels2014

    • 著者名/発表者名
      B. Mitchell, D. Lee, D. Lee, Y. Fujiwara, and V. Dierolf
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 103 号: 24

    • DOI

      10.1063/1.4846575

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Eu添加GaN赤色発光ダイオード ~電気を流してEuを光らせる~2014

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 雑誌名

      オプトロニクス

      巻: 382 ページ: 114-118

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of annealing on Eu-Mg-H complex optical center in Eu,Mg-codoped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      D. Lee, R. Wakamatsu, A. Koizumi, Y. Terai, J. D. Poplawsky, V. Dierolf, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 102 号: 14

    • DOI

      10.1063/1.4800447

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Control of Eu luminescence centers by codoping of Mg and Si in Eu-doped GaN2013

    • 著者名/発表者名
      D. Lee, R. Wakamatsu, A. Koizumi, Y. Terai, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 8S ページ: 08JM01-08JM01

    • DOI

      10.7567/jjap.52.08jm01

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Luminescence properties of Eu-doped GaN grown on GaN substrate2013

    • 著者名/発表者名
      R. Wakamatsu, D. Lee, A. Koizumi, V. Dierolf, Y. Terai, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 8S ページ: 08JM03-08JM03

    • DOI

      10.7567/jjap.52.08jm03

    • NAID

      210000142745

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Luminescence properties of Eu-doped GaN under resonant excitation and quantitative evaluation of luminescent sites2013

    • 著者名/発表者名
      R. Wakamatsu, D. Lee, A. Koizumi, V. Dierolf, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 114 号: 4

    • DOI

      10.1063/1.4816088

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electron-beam-induced migration of hydrogen in Mg-doped GaN using Eu as a probe2013

    • 著者名/発表者名
      B. Mitchell, D. Lee, D. Lee, A. Koizumi, J. Poplawsky, Y. Fujiwara, and V. Dierolf
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 88 号: 12

    • DOI

      10.1103/physrevb.88.121202

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Formation of Eu3+ luminescent centers in Eu-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition2013

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuji, Y. Terai, M. H. B. Kamarudin, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 11R ページ: 111101-111101

    • DOI

      10.7567/jjap.52.111101

    • NAID

      210000143056

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Roles of defects in the excitation of Eu ions in Eu:GaN2013

    • 著者名/発表者名
      J. D. Poplawsky, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and V. Dierolf
    • 雑誌名

      Optical Express

      巻: 21 号: 25 ページ: 30633-30641

    • DOI

      10.1364/oe.21.030633

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] 希土類添加半導体の精密制御成長と発光機能2013

    • 著者名/発表者名
      小泉淳、藤原康文
    • 雑誌名

      スマートプロセス学会誌

      巻: 2 ページ: 213-218

    • NAID

      10031200067

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Eu luminescence center created by Mg codoping in Eu-doped GaN2012

    • 著者名/発表者名
      D. Lee, A. Nishikawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 100 号: 17

    • DOI

      10.1063/1.4704920

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Induced magnetic moment of Eu3+ ions in GaN2012

    • 著者名/発表者名
      V. Kachkanov
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 2 号: 1

    • DOI

      10.1038/srep00969

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electroluminescence properties of Eu-doped GaN-based light-emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      A.Nishikawa, N.Furukawa, D.Lee, K.Kawabata, T.Matsuno, R.Harada, Y.Terai, Y.Fujiwara
    • 雑誌名

      Materials Research Society Symposium Proceedings

      巻: (印刷中) ページ: 9-13

    • DOI

      10.1557/opl.2011.994

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Photoluminescence x-ray excitation spectra in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      S.Emura, K.Higashi, A.Itatani, H.Torigoe, Y.Kuroda, A.Nishikawa, Y.Fujiwara, H.Asahi
    • 雑誌名

      Materials Research Society Symposium Proceedings

      巻: (印刷中) ページ: 15-20

    • DOI

      10.1557/opl.2011.1241

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Nature and excitation mechanism of the emission-dominating minority Eu-center in GaN grown by organometalic vapor-phase epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      J.Poplawsky, N.Woodward, A.Nishikawa, Y.Fujiwara, V.Dierolf
    • 雑誌名

      Materials Research Society Symposium Proceedings

      巻: (印刷中) ページ: 21-26

    • DOI

      10.1557/opl.2011.1049

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Site selective magneto-optical studies of Eu ions in gallium nitride2012

    • 著者名/発表者名
      N.Woodward, A.Nishikawa, Y.Fujiwara, V.Dierolf
    • 雑誌名

      Materials Research Society Symposium Proceedings

      巻: (印刷中) ページ: 111-115

    • DOI

      10.1557/opl.2011.1156

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] OMVPE法により作製したEu添加GaNの発光特性及び赤色発光ダイオードへの応用2012

    • 著者名/発表者名
      西川敦
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌

      巻: 38 ページ: 270-273

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Concentration quenching in Eu-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition2012

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuji
    • 雑誌名

      Journal of Luminescence

      巻: 132 号: 12 ページ: 3125-3128

    • DOI

      10.1016/j.jlumin.2011.12.042

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Photoluminescence properties of Sm-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition2012

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuji
    • 雑誌名

      Journal of Non-Crystalline Solids

      巻: 358 号: 17 ページ: 2443-2445

    • DOI

      10.1016/j.jnoncrysol.2011.12.099

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 希土類添加半導体を用いた狭帯域赤色LEDの新展開2017

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      JPC 産業用 LED 応用研究会&JPC 関西定例講演会 ~最新の半導体光源(LED/LD)とその応用~
    • 発表場所
      マイドームおおさか、大阪市中央区
    • 年月日
      2017-03-10
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Challenge to highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, T. Inaba, W. Zhu, B. Mitchell1, T. Kojima, and T. Gregorkiewicz
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2017, German-Japanese-Spanish Joint Workshop
    • 発表場所
      Hotel Punta Rotja, Mallorca, Spain
    • 年月日
      2017-03-05
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 希土類添加GaNの物性と構造評価2017

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      材料系共同利用研究報告会
    • 発表場所
      大阪大学吹田キャンパス、吹田市
    • 年月日
      2017-01-16
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] The Influence of Local and Extended Defect Environments on the Optical and Material Properties of GaN:Eu2016

    • 著者名/発表者名
      B. B.Mitchell, W. Zhu, J. Poplawsky, A. Koizumi, V. Dierolf, and Y. Fujiwara
    • 学会等名
      2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2016-11-27
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Eu-Doped GaN for Highly Efficient Wavelength-Stable Red LEDs2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara
    • 学会等名
      Defects in Semiconductors, Gordon Research Conference
    • 発表場所
      Colby-Sawyer College, New London, USA
    • 年月日
      2016-08-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Current understanding of Eu emission centers in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2016

    • 著者名/発表者名
      A. Koizumi and Y. Fujiwara
    • 学会等名
      9th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing (PRICM9)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2016-08-01
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN as an active layer2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara
    • 学会等名
      Light Conference 2016
    • 発表場所
      Changchun, China
    • 年月日
      2016-07-04
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Enhanced red emission from Eu ions embedded in a GaN resonant optical microcavity2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, T. Inaba, T. Kojima, B. Mitchell, A. Capretti, T. Gregorkiewicz, and A. Koizumi
    • 学会等名
      Collaborative Conference on 3D and Materials Research 2016 (CC3DMR2016)
    • 発表場所
      Incheon, Seoul, Korea
    • 年月日
      2016-06-20
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 希土類添加半導体とその新規発光デバイスへの応用2016

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      分子・物質合成プラットフォーム平成28年度研究会
    • 発表場所
      銀杏会館、大阪大学吹田キャンパス、吹田市
    • 年月日
      2016-06-17
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, T. Inaba, B. Mitchell, T. Kojima, and A. Koizumi
    • 学会等名
      International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials; Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC’2016)
    • 発表場所
      Graz, Austria
    • 年月日
      2016-05-29
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Enhanced Red Photo/electroluminescence from Eu-doped GaN through Optimization of Defect Environment2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, W. Zhu, B. Mitchell, D. Timmerman, A. Uedono, and A. Koizumi
    • 学会等名
      4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA’16)
    • 発表場所
      Pacifico-Yokohama, Yokohama, Japan
    • 年月日
      2016-05-18
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Valence state control of Eu ions in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, T. Nunokawa, M. Matsuda, W. Zhu, T. Kojima, and A. Koizumi
    • 学会等名
      Workshop on Computational Nano-Materials Design and Realization for Energy-Saving and Energy-Creation Materials
    • 発表場所
      Osaka University, Japan
    • 年月日
      2016-03-25
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] スパッタリング併用有機金属気相堆積法と希土類添加ZnOへの応用2016

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      第63回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス、東京都目黒区
    • 年月日
      2016-03-19
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, T. Inaba, B. Mitchell, T. Kojima, and A. Koizumi
    • 学会等名
      2nd International Workshop on Luminescent Materials 2015 (LumiMat’15)
    • 発表場所
      Kyoto University, Kyoto, Japan
    • 年月日
      2015-12-12
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Optoelectronic communications with GaN:Eu red LED: Messages from atomic scale emission centers2015

    • 著者名/発表者名
      M. Ishii and Y. Fujiwara
    • 学会等名
      2nd International Workshop on Luminescent Materials 2015 (LumiMat’15)
    • 発表場所
      Kyoto University, Kyoto, Japan
    • 年月日
      2015-12-12
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Eu添加GaN赤色LEDの高輝度化に向けて2015

    • 著者名/発表者名
      藤原康文、稲葉智宏,朱婉新,児島貴徳,小泉淳
    • 学会等名
      日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第96回研究会
    • 発表場所
      湯田温泉ホテルかめ福、山口市
    • 年月日
      2015-12-11
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Towards Photonic Applications of Rare-Earth-Doped ZnO2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara
    • 学会等名
      International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM2015)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2015-10-25
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes with Eu-doped GaN: effects of in-plane strain on Eu emission-2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, T. Inaba, T. Kojima, and A. Koizumi
    • 学会等名
      5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2015)
    • 発表場所
      Lakeshore Hotel, Hsinchu, Taiwan
    • 年月日
      2015-09-06
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Drastic enhancement of Eu emission from red light-emitting Eu-doped GaN in a microcavity2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, T. Inaba, T. Kojima, and A. Koizumi
    • 学会等名
      11th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2015)
    • 発表場所
      BEXCO, Busan, Korea
    • 年月日
      2015-08-24
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara
    • 学会等名
      15th International Meeting on Information Display (IMID2015)
    • 発表場所
      EXCO, Daegu, Korea
    • 年月日
      2015-08-18
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Valence control of Eu ions in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, M. Matsuda, W. Zhu, T. Kojima, and A. Koizumi
    • 学会等名
      SPIE Nanoscience + Engineering
    • 発表場所
      San Diego, USA
    • 年月日
      2015-08-09
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN as an active layer2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, T. Kojima, and A. Koizumi
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices -2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop-
    • 発表場所
      Shiran-Kaikan, Kyoto University, Kyoto, Japan
    • 年月日
      2015-07-11
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Present understanding of Eu luminescent centers in Eu-doped GaN2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, A. Koizumi, and V. Dierolf
    • 学会等名
      Collaborative Conference on 3D and Materials Research 2015 (CC3DMR2015)
    • 発表場所
      BEXCO, Busan, Korea
    • 年月日
      2015-06-15
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] GaNを用いた窒化物半導体赤色LEDとその高輝度化2015

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      日本学術振興会 透明酸化物光・電子材料第166委員会 第66回研究会、(5)
    • 発表場所
      アイビーホール青学会館(東京都渋谷区)
    • 年月日
      2015-01-30
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 希土類元素の精密ドーピングによる半導体光機能性の制御2014

    • 著者名/発表者名
      藤原康文、Dolf Timmerman、児島貴徳、小泉淳
    • 学会等名
      第25回光物性研究会
    • 発表場所
      神戸大学百年記念会館(神戸市)
    • 年月日
      2014-12-12 – 2014-12-13
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Eu site-dependent energy transfer in red light emitter of Eu-doped GaN2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, D. Lee, B. Mitchell, A. Koizumi, and V. Dierolf
    • 学会等名
      2014 MRS Fall Meeting, Symposium T: Wide-Bandgap Materials for Solid-State Lighting and Power Electronics, T4.05
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2014-11-30 – 2014-12-05
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Europium-doped gallium nitride and its application to environmentally-friendly red light-emitters2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, D. Timmerman, T. Kojima, and A. Koizumi
    • 学会等名
      1st International Symposium on Interactive Materials Science Cadet Program, IL7
    • 発表場所
      Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, Japan
    • 年月日
      2014-11-16 – 2014-11-19
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Eu-doped GaN and its application to environmentally-friendly red light-emitting diodes2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, D. Timmerman, T. Kojima, and A. Koizumi
    • 学会等名
      The second International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology (ICAMN2014), IN04
    • 発表場所
      Hanoi, Vietnam
    • 年月日
      2014-10-29 – 2014-11-01
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Energy transfer processes in Eu-doped GaN2014

    • 著者名/発表者名
      D. Timmerman and Y. Fujiwara
    • 学会等名
      The second International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology (ICAMN2014), IN19
    • 発表場所
      Hanoi, Vietnam
    • 年月日
      2014-10-29 – 2014-11-01
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 希土類元素を極める ―希土類添加半導体から何が見えてくるのか―2014

    • 著者名/発表者名
      藤原康文、児島孝徳、Dolf Timmerman、小泉淳
    • 学会等名
      日本金属学会2014年秋期講演大会公募シンポジウム「S3 エレクトロニクス薄膜材料の科学と技術 Ⅱ」、S3-8
    • 発表場所
      名古屋大学東山キャンパス(名古屋市千種区)
    • 年月日
      2014-09-24 – 2014-09-26
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Optical and electrical properties of Eu,Si-codoped GaN grown by organometallic vapor-phase epitaxy2014

    • 著者名/発表者名
      A. Koizumi, S. Kuwata, and Y. Fujiwara
    • 学会等名
      Energy Materials Nanotechnology Meeting, A31
    • 発表場所
      Chengdu, China
    • 年月日
      2014-09-22 – 2014-09-25
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 希土類元素を極める ~Eu添加GaNから何が見えてきたか~2014

    • 著者名/発表者名
      藤原康文,小泉淳,大渕博宣,本間徹生
    • 学会等名
      第17回XAFS討論会、2I-01
    • 発表場所
      徳島大学総合科学部(徳島市)
    • 年月日
      2014-09-01 – 2014-09-03
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Strain-dependent energy transfer from GaN host to Eu ions in Eu-doped GaN2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, and A. Koizumi
    • 学会等名
      16th International Conference on High Pressure in Semiconductor Physics, Inv-8
    • 発表場所
      Mexico City, Mexico
    • 年月日
      2014-08-06 – 2014-08-08
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 希土類元素を極める ~希土類添加半導体を題材として~2014

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      第7回次世代先端光科学研究会
    • 発表場所
      京都大学化学研究所(京都府宇治市)
    • 年月日
      2014-07-28 – 2014-07-29
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Rare-earth-doped Semiconductors and Their Application to Photonic Devices2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara
    • 学会等名
      Collaborative Conference on 3D & Materials Research (CC3DMR) 2014
    • 発表場所
      Incheon, Korea
    • 年月日
      2014-06-22 – 2014-06-28
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Eu添加GaNにおける赤色発光効率のEuイオン局所構造依存性2014

    • 著者名/発表者名
      藤原康文、若松龍太、小泉淳
    • 学会等名
      第353回蛍光体同学会講演会
    • 発表場所
      化学会館ホール(東京都千代田区)
    • 年月日
      2014-06-06
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Effects of impurity codoping on luminescence properties in Eu-doped GaN2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, D. Lee, A. Koizumi, B. Mitchell, and V. Dierolf
    • 学会等名
      5th International Workshop on Photoluminescence Rare Earths (PRE’14): Photonic Materials and Devices, I-2
    • 発表場所
      San Sebastian, Spain
    • 年月日
      2014-05-14 – 2014-05-16
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Eu添加GaN赤色発光ダイオードの現状と将来展望2014

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      レーザー学会第9回「レーザーの農業応用」専門委員会
    • 発表場所
      大阪大学吹田キャンパス、大阪府吹田市
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 希土類元素がもたらす桃源郷 ~希土類添加半導体とLEDへの応用~2014

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      日本フォトニクス協議会関西設立記念講演会
    • 発表場所
      大阪商工会議所、大阪府大阪市中央区
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Eu-doped GaN and its application to nitride-based red light-emitting diodes2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara and A. Koizumi
    • 学会等名
      Collaborative Conference on 3D & Materials Research (CC3DMR) 2013
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Rare-earth doped semiconductors and their application to novel light-emitting devices2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara
    • 学会等名
      8th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing (PRICM8)
    • 発表場所
      Waikoloa, Hawaii, USA
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Development of properties and functionalities by precise control of rare earth doping2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara and A. Koizumi
    • 学会等名
      17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Local-structure dependent energy transfer from the host to Eu ions in Eu-doped GaN2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, D. Lee, V. Dierolf, and A. Koizumi
    • 学会等名
      International Workshop on Luminescent Materials 2013 (LumiMat’13)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Recent progress in GaN-based red light-emitting diodes using Eu by organometallic vapor phase epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, D. Lee, R. Wakamatsu, and A. Koizumi
    • 学会等名
      International Conference on Processing and Manufacturing of Advanced Materials (THERMEC’2013)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 窒化物半導体赤色LEDの現状と将来展望~希土類元素がもたらす桃源郷!2013

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      SEMI FORUM JAPAN 2013
    • 発表場所
      グランキューブ大阪、大阪府大阪市北区
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 希土類元素を極める ~希土類添加窒化物半導体から何が見えてくるか~2013

    • 著者名/発表者名
      藤原康文、小泉淳
    • 学会等名
      第5回 窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      大阪大学吹田キャンパス、大阪府吹田市
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 希土類元素がもたらす桃源郷!~希土類添加半導体と発光ダイオードへの応用~2013

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      大阪大学光科学センター・りそな中小企業振興財団 技術懇親会「先進光源と産業応用」
    • 発表場所
      大阪大学(吹田市)
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 希土類元素を極める ~「希土類添加半導体」を題材として~2013

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      平成24年度大阪大学「物質・材料科学研究推進機構」講演会「物質科学における分野融合」
    • 発表場所
      大阪大学(豊中市)
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Current status of environment-friendly red light-emitting diodes with Eu-doped GaN2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara
    • 学会等名
      5th International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA 2012)
    • 発表場所
      Nara, Japan
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Environmentally friendly red light-emitting diodes using Eu-doped GaN2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara
    • 学会等名
      LED 50th Anniversary Symposium
    • 発表場所
      Urbana-Champaign, Illinois, USA
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 希土類元素を極める ~「希土類添加半導体」を題材として~2012

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      大阪大学ナノ理工学人材育成産学コンソーシアム 平成24年度 第1回ナノ理工学情報交流会 (一般公開)「ナノ理工学に関する長期展望テーマの提案」
    • 発表場所
      大阪大学(豊中キャンパス)
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 希土類添加半導体発光デバイス2012

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      第126回微小光学研究会「微小光学の周期表-元素を見直す-」
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都新宿区)
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 招待講演
  • [図書] Rare Earth and Transition Metal Doping of Semiconductor Materials2016

    • 著者名/発表者名
      V. Dierolf, I.T. Ferguson, J.M. Zavada
    • 総ページ数
      454
    • 出版者
      Elsevier
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [図書] Progress in Advanced Structural and Functional Materials Design2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, Y. Terai, and A. Nishikawa(分担執筆)
    • 総ページ数
      287
    • 出版者
      Springer
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [図書] Progress in Advanced Structural and Functional Materials Design2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara (分担執筆)
    • 総ページ数
      287
    • 出版者
      Springer
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [備考] 大阪大学藤原研究室

    • URL

      http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書 2015 実績報告書
  • [備考] 大阪大学藤原研究室紹介動画

    • URL

      http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/?video

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [備考] 藤原研究室紹介動画

    • URL

      http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/?video

    • 関連する報告書
      2015 実績報告書 2014 実績報告書
  • [備考] 大阪大学藤原研究室

    • URL

      http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/?FrontPage

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [備考] 基盤研究(S)「希土類添加窒化物半導体における赤色発光機構の解明/制御による高輝度発光素子の開発」

    • URL

      http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/kiban/

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [備考] 大阪大学藤原研究室

    • URL

      http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [備考] 大阪大学藤原研究室

    • URL

      http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [産業財産権] AlInN厚膜形成技術2017

    • 発明者名
      藤原康文、稲葉智宏
    • 権利者名
      藤原康文、稲葉智宏
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2017-02-28
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [産業財産権] 窒化物半導体基板とその製造方法および半導体デバイス2016

    • 発明者名
      藤原康文、朱婉新、小泉淳、他2名
    • 権利者名
      藤原康文、朱婉新、小泉淳、他2名
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2016-11-25
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [産業財産権] 赤色発光半導体素子とその製造方法2013

    • 発明者名
      藤原康文、小泉淳
    • 権利者名
      藤原康文、小泉淳
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-047022
    • 出願年月日
      2013-03-08
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [産業財産権] 赤色発光半導体素子とその製造方法、および窒化物半導体素子用基板とその製造方法2012

    • 発明者名
      藤原康文、小泉淳、寺井慶和
    • 権利者名
      藤原康文、小泉淳、寺井慶和
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2012-184347
    • 出願年月日
      2012-08-23
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書

URL: 

公開日: 2012-11-27   更新日: 2022-01-28  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi