| 研究課題/領域番号 |
24226014
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
田畑 仁 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (00263319)
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| 研究分担者 |
関 宗俊 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (40432439)
松井 裕章 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (80397752)
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| 連携研究者 |
堀田 育志 兵庫県立大学, 工学研究科, 准教授 (30418652)
横田 紘子 千葉大学, 理学研究科, 助教 (50608742)
山原 弘靖 東京大学, 大学院工学系研究科, 助教 (30725271)
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| 研究期間 (年度) |
2012-05-31 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
147,420千円 (直接経費: 113,400千円、間接経費: 34,020千円)
2016年度: 22,230千円 (直接経費: 17,100千円、間接経費: 5,130千円)
2015年度: 10,010千円 (直接経費: 7,700千円、間接経費: 2,310千円)
2014年度: 26,910千円 (直接経費: 20,700千円、間接経費: 6,210千円)
2013年度: 44,850千円 (直接経費: 34,500千円、間接経費: 10,350千円)
2012年度: 43,420千円 (直接経費: 33,400千円、間接経費: 10,020千円)
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| キーワード | ゆらぎ / スピングラス / 散逸 / ニューロモルフィック / ブレインモルフィック / 生体模倣 / スピン / 電子・電気材料 / 電子デバイス / 生体に学ぶ / エレクトロニクス / 酸化物エレクトロニクス / マグノニクス / 確率共鳴 / 磁気抵抗 / 磁気トンネル接合 / アトラクター選択 |
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| 研究成果の概要 |
スピングラス物性を示すガーネット型酸化鉄薄膜を、原子スケールでランダムネスとフラストレーション制御することで初めて合成した。この材料を用いた光誘起（書き込み）スピン記憶において、適応学習に代表される短期記憶増強、シナプス機能を確認した。さらに生体ゆらぎ機能を組み込んだチップを設計・試作し、ノイズによる信号増強効果を検証することに成功した。
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| 評価記号 |
検証結果 (区分)
A
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評価記号 |
評価結果 (区分)
A: 当初目標に向けて順調に研究が進展しており、期待どおりの成果が見込まれる
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