| 研究課題/領域番号 |
24244062
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
井上 公 独立行政法人産業技術総合研究所, 電子光技術部門強相関エレクトロニクス研究グループ, 主任研究員 (00356502)
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| 研究協力者 |
KUMAR Neeraj
鬼頭 愛
EYVAZOV Azar B.
PANAGOPOULOS Christos
STOLIAR Pablo
ROZENBERG Marcelo J.
JIMÉNEZ David
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| 研究期間 (年度) |
2012-05-31 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
36,530千円 (直接経費: 28,100千円、間接経費: 8,430千円)
2014年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
2013年度: 9,620千円 (直接経費: 7,400千円、間接経費: 2,220千円)
2012年度: 17,940千円 (直接経費: 13,800千円、間接経費: 4,140千円)
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| キーワード | 負の静電容量 / モットFET / サブスレショルド・スイング / 易動度 / 有機無機積層ゲート絶縁膜 / 擬似モット転移 / スピン軌道相互作用 / パーコレーション / 有機無機積層ゲート絶縁体 / 高易動度 / EOT / モットトランジスタ / パリレン / 高誘電率酸化物 / フォトリソグラフィー / 強相関酸化物 / 超伝導 / 強誘電体 / ラシュバ効果 / ハイブリッドゲート絶縁膜 / タンタル酸化物 / 遷移金属酸化物 / 国際情報交換 / 国際研究者交流 |
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| 研究成果の概要 |
HfO2と6nmのパリレンとの積層絶縁膜の作製方法を開発しSrTiO3単結晶上にチャネル長2μmのFETを作製した。サブスレショルド・スイングは170mV/dec以下、易動度は10cm2/Vsという非常に良いチャネルが形成できた。ホール効果より1e14/cm2ものキャリアが誘起されることが判明。ゲート絶縁膜の静電容量から予想される値の10倍である。このとき積層ゲート絶縁膜の静電容量は変化していない。SrTiO3表面で擬似モット転移が起き「負のキャリア圧縮度」つまり「負の静電容量」が生じたからだと考えられる。バンド絶縁体であるSrTiO3上で真のモットFETを動作させることに成功した。
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