Ｓｉ基板を用いた縦型大面積・高出力深紫外ＬＥＤの研究

• 研究課題/領域番号: 24246010
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 応用物性・結晶工学
• 研究機関: 独立行政法人理化学研究所
• 研究代表者: 平山 秀樹 独立行政法人理化学研究所, 平山量子光素子研究室, 主任研究員 (70270593)
• 研究分担者: 藤川 紗知恵 (藤川 紗千恵) 理化学研究所, 平山量子光素子研究室, 研究員 (90550327)
• 研究期間 (年度): 2012-04-01 – 2015-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2014年度)
• 配分額: 47,060千円 (直接経費: 36,200千円、間接経費: 10,860千円); 2014年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円); 2013年度: 13,260千円 (直接経費: 10,200千円、間接経費: 3,060千円); 2012年度: 25,740千円 (直接経費: 19,800千円、間接経費: 5,940千円)
• キーワード: 深紫外LED / AlGaN / AlN / MOCVD / Si基板 / 縦型LED / 光取りだし効率 / 内部量子効率 / 光取り出し効率 / 貫通転位密度

研究成果の概要

深紫外LEDは、医療、殺菌・浄水、生化学産業などへ応用においてその高出力化が期待されている。しかし、サファイア基板上に形成された深紫外LEDでは、横注入構造のため高出力化が難しく、また光取り出し効率が低い。本研究では、Si基板上にAlGaN深紫外LEDを形成することにより、縦型・大面積化を実現しその高出力化を実現することを目的とする。
研究では、2次元格子状パターン加工基板上にAlN成長を行いクラックの無い良好なAlNバッファーを形成し、深紫外LEDのミリワット動作に成功した。また、透明p型AlGaNコンタクトと高反射電極を導入することにより、深紫外LEDの光取り出し効率を大幅に向上させた。

研究成果

• [雑誌論文] Analysis of efficiency droop in 280-nm AlGaN multiple-quantum-well light-emitting diodes based on carrier rate equation (2015)
  • 著者名/発表者名: J. Yun, J. I. Shim, H. Hirayama
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 8 号: 2 ページ: 022104-022104
  • DOI: 10.7567/apex.8.022104
  • NAID: 210000137382
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Recent progress and future prospects of AlGaN-based high-efficiency deep-ultraviolet light-emitting diodes (2014)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, N. Maeda, S. Fujikawa, S. Toyota and N. Kamata
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 53 号: 10 ページ: 100209-100209
  • DOI: 10.7567/jjap.53.100209
  • NAID: 210000144519
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Optical detection of nonradiative recombination centers in AlGaN quantum wells for deep-UV region (2014)
  • 著者名/発表者名: A. Z. M. Touhidul Islam, N. Murakoshi, T. Fukuda, H. Hirayama and N. Kamata
  • 雑誌名: physica status solidi (c) 巻: 11 号: 3-4 ページ: 832-835
  • DOI: 10.1002/pssc.201300405
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] 高Al組成p型AlGaNコンタクト層を用いた260nm深紫外LED (2014)
  • 著者名/発表者名: 定昌史、前田哲利、平山秀樹
  • 雑誌名: 信学技報 巻: 114 ページ: 77-80
• [雑誌論文] 超格子p型AlGaNホール拡散層を用いた深紫外LEDの動作 (2014)
  • 著者名/発表者名: 前田哲利、定昌史、平山秀樹
  • 雑誌名: 信学技報 巻: 114 ページ: 73-76
• [雑誌論文] ウェットエッチングによるサファイア表面加工基板(PSS)を用いた深紫外LED用高品質AlNテンプレートの作製 (2014)
  • 著者名/発表者名: 金沢裕也、豊田史朗、大島一晟、鎌田憲彦、鹿島行雄、松浦恵里子、嶋谷聡、小久保光典、田代貴晴、大川貴史、上村隆一郎、長田大和、平山秀樹
  • 雑誌名: 信学技報 巻: 114 ページ: 39-44
• [雑誌論文] 化物LED高効率化のためのナノインプリントとドライエッチングによる微細加工制御技術 (2014)
  • 著者名/発表者名: 鹿嶋行雄、松浦恵里子、嶋谷聡、小久保光典、田代貴晴、大川貴史、上村隆一郎、長田大和、藤川紗千恵、平山秀樹
  • 雑誌名: 信学技報 巻: 114 ページ: 27-32
• [雑誌論文] Realization of high-efficiency deep-UV LEDs using transparent p-AlGaN contact layer (2014)
  • 著者名/発表者名: N. Maeda and H. Hirayama
  • 雑誌名: Phys. Status Solidi C 巻: No. 11 ページ: 1521-1524
  • NAID: 110009887994
  • 査読あり
• [雑誌論文] AlGaN系率紫外LEDの進展 (2013)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹、藤川紗知恵、鎌田憲彦
  • 雑誌名: 電気学会論文誌C 巻: Vol. 133 ページ: 1443-1448
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characteristics of epitaxial lateral overgrowth AlN templates on (111) Si substrates for AlGaN deep-UV LEDs fabricated on different direction stripe patterns (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Mino, H. Hirayama, T. Takano, K. Tsubaki and M. Sugiyama
  • 雑誌名: Phys. Status Solidi C 巻: 9 ページ: 802-805
  • 査読あり
• [雑誌論文] Highly-uniform 260 nm-band AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes developed by 2-inch×3 MOVPE system (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Mino, H. Hirayama, T. Takano, N. Noguchi and K. Tsubaki
  • 雑誌名: Phys. Status Solidi C 巻: 9 ページ: 749-752
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-efficiency AlGaN deep-UV LEDs fabricated on a- and m-axis oriented c-plane sapphire substrates (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Fujikawa, H. Hirayama and N. Maeda
  • 雑誌名: Phys. Status Solidi C 巻: 9 ページ: 790-793
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characteristics of AlN crystal growth depending on m- and a-axis oriented off-angle of c-sapphire substrate (2012)
  • 著者名/発表者名: N. Maeda, H. Hirayama and S. Fujikawa
  • 雑誌名: Phys. Status Solidi C 巻: 9 ページ: 810-813
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of flat p-GaN contact layer by pulse flow method for high light-extraction AlGaN deep-UV LEDs with Al-based electrode (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Akiba, H. Hirayama, Y. Tomita, Y. Tsukada, N. Maeda and A. Kamata
  • 雑誌名: Phys. Status Solidi C 巻: 9 ページ: 806-809
  • 査読あり
• [雑誌論文] AlGaN深紫外LEDの高効率化への取り組み (2012)
  • 著者名/発表者名: 富田優志、藤川紗千恵、水澤克哉、豊田史朗、鎌田憲彦、平山秀樹
  • 雑誌名: 信学技報 巻: 112 ページ: 87-92
• [学会発表] 特異構造結晶の導入による高効率深紫外デバイスとTHz-QCLの開発 (2015)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹、前田哲利、定昌史、寺嶋亘、豊田史朗、鎌田憲彦
  • 学会等名: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学、東京都渋谷区
  • 年月日: 2015-03-14
  • 招待講演
• [学会発表] ウェットエッチングによるサファイア表面加工基板(PSS)を用いた深紫外LED用高品質AlNテンプレートの作製 (2015)
  • 著者名/発表者名: 金沢裕也、豊田史朗、大島一晟、鎌田憲彦、鹿島行雄、松浦恵里子、嶋谷聡、小久保光典、田代貴晴、大川貴史、上村隆一郎、長田大和、平山秀樹
  • 学会等名: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学、東京都渋谷区
  • 年月日: 2015-03-12
• [学会発表] Ga2O3 (-201)基板上AlGaN (0001)エピタキシャル膜の成長 (2015)
  • 著者名/発表者名: 森島嘉克、平山秀樹、山下佳弘、飯塚和幸、倉又朗人、山腰茂伸
  • 学会等名: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学、東京都渋谷区
  • 年月日: 2015-03-12
• [学会発表] Characterization of thick AlN templates grown on micro-circle patterned-Si substrates (2015)
  • 著者名/発表者名: Tinh Tran、前田哲利、豊田史朗、平山秀樹
  • 学会等名: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学、東京都渋谷区
  • 年月日: 2015-03-12
• [学会発表] 深紫外LEDにおける超格子p型AlGaN透明コンタクト層のホール拡散効果 (2015)
  • 著者名/発表者名: 前田哲利、定昌史、平山秀樹
  • 学会等名: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学、東京都渋谷区
  • 年月日: 2015-03-12
• [学会発表] 280nm AlGaN UVC LED using p-AlGaN SL transparent hole-spreading contact layer (2014)
  • 著者名/発表者名: N. Maeda, M. Jo and H. Hirayama
  • 学会等名: The 10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
  • 年月日: 2014-12-14 – 2014-12-19
• [学会発表] Extraction of principle parameters of light-emitting diodes by utilizing rate equation and relative ηEQE vs current curve (2014)
  • 著者名/発表者名: J. Yun, H. Hirayama and J. Shim
  • 学会等名: The 10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
  • 年月日: 2014-12-14 – 2014-12-19
• [学会発表] High-quality AlN template for deep-UV LED grown on patterned sapphire substrate formed by using nano-imprinting and wet-chemical etching (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Kanazawa, S. Toyoda, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata, Y. Kashima, E. Matsuura, S. Shimatani, M. Kokubo, T. Tashiro, T. Ohkawa, R. Kamimura, Y. Osada and H. Hirayama
  • 学会等名: The 10th International Symposium on Semiconductors Light Emitting Devices (ISSLED2014)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
  • 年月日: 2014-12-14 – 2014-12-19
• [学会発表] Recent progress and future prospects of AlGaN-based deep-UV LEDs (2014)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama
  • 学会等名: Light, Energy and the Environment Congress 2014
  • 発表場所: Canberra, Australia
  • 年月日: 2014-12-02 – 2014-12-05
  • 招待講演
• [学会発表] 高Al組成p型AlGaNコンタクト層を用いた260nm深紫外LED (2014)
  • 著者名/発表者名: 定昌史、前田哲利、平山秀樹
  • 学会等名: 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 大阪大学、大阪府吹田市
  • 年月日: 2014-11-27 – 2014-11-28
• [学会発表] 超格子p型AlGaNホール拡散層を用いた深紫外LEDの動作 (2014)
  • 著者名/発表者名: 前田哲利、定昌史、平山秀樹
  • 学会等名: 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 大阪大学、大阪府吹田市
  • 年月日: 2014-11-27 – 2014-11-28
• [学会発表] ウェットエッチングによるサファイア表面加工基板(PSS)を用いた深紫外LED用高品質AlNテンプレートの作製 (2014)
  • 著者名/発表者名: 金沢裕也、豊田史朗、大島一晟、鎌田憲彦、鹿島行雄、松浦恵里子、嶋谷聡、小久保光典、田代貴晴、大川貴史、上村隆一郎、長田大和、平山秀樹
  • 学会等名: 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 大阪大学、大阪府吹田市
  • 年月日: 2014-11-27 – 2014-11-28
• [学会発表] 窒化物LED高効率化のためのナノインプリントとドライエッチングによる微細加工制御技術 (2014)
  • 著者名/発表者名: 鹿嶋行雄、松浦恵里子、嶋谷聡、小久保光典、田代貴晴、大川貴史、上村隆一郎、長田大和、平山秀樹
  • 学会等名: 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 大阪大学、大阪府吹田市
  • 年月日: 2014-11-27 – 2014-11-28
• [学会発表] 透明コンタクト層を用いた高効率・深紫外LEDの実現 (2014)
  • 著者名/発表者名: 前田哲利、定昌史、平山秀樹
  • 学会等名: 理研シンポジウム第2回「光量子工学研究」
  • 発表場所: AER、宮城県仙台市
  • 年月日: 2014-11-25 – 2014-11-26
• [学会発表] ピラー構造バッファーを用いた高効率・深紫外LEDの検討 (2014)
  • 著者名/発表者名: 金澤裕也、豊田史朗、鎌田憲彦、平山秀樹
  • 学会等名: 理研シンポジウム第2回「光量子工学研究」
  • 発表場所: AER、宮城県仙台市
  • 年月日: 2014-11-25 – 2014-11-26
• [学会発表] AlGaN系UVC LEDへの透明p-AlGaN超格子ホール横拡散層の導入 (2014)
  • 著者名/発表者名: 前田哲利、定昌史、平山秀樹
  • 学会等名: 第75回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学、北海道札幌市
  • 年月日: 2014-09-17 – 2014-09-20
• [学会発表] 高Al組成p-AlGaNコンタクト層を用いた深紫外発光ダイオード (2014)
  • 著者名/発表者名: 定昌史、前田哲利、平山秀樹
  • 学会等名: 第75回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学、北海道札幌市
  • 年月日: 2014-09-17 – 2014-09-20
• [学会発表] Extraction of SRH and auger recombination coefficients by utilizing theoretical radiative recombination coefficient and rate equation in LEDs (2014)
  • 著者名/発表者名: J. Yun, H. Hirayama and J. Shim
  • 学会等名: 第75回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学、北海道札幌市
  • 年月日: 2014-09-17 – 2014-09-20
• [学会発表] Enhanced Strain Relaxation using Thin AlGaN Interlayers and its Effect to UVC Quantum Well Emission Properties (2014)
  • 著者名/発表者名: M. Jo and H. Hirayama
  • 学会等名: International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2014)
  • 発表場所: Wroclaw, Poland
  • 年月日: 2014-08-24 – 2014-08-29
• [学会発表] Nonradiative centers in deep-UV AlGaN-based quantum wells revealed by two-wavelength excited photoluminescence (2014)
  • 著者名/発表者名: N. Kamata, A. Z. T. Islam, M. Julkarnain, N. Murakoshi, T. Fukuda and H. Hirayama
  • 学会等名: International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2014)
  • 発表場所: Wroclaw, Poland
  • 年月日: 2014-08-24 – 2014-08-29
• [学会発表] AlGaN深紫外LEDとレーザーの可能性 (2014)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 2014年度第1回 光材料・応用技術研究会
  • 発表場所: 機械振興会館、東京都港区
  • 年月日: 2014-06-27
  • 招待講演
• [学会発表] 267 nm AlGaN UVC LED using p-AlGaN superlattice transparent hole-spreading contact layer (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Kanazawa, J. Yun, S. Toyoda, N. Maeda, N. Kamata and H. Hirayama
  • 学会等名: International Symposium on the Science and Technology of Light (LS14)
  • 発表場所: Como, Italy
  • 年月日: 2014-06-22 – 2014-06-27
• [学会発表] ワイドギャップ窒化物半導体を用いた深紫外線LED技術 (2014)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 2014最先端実装技術シンポジウム
  • 発表場所: 東京ビッグサイト、東京都江東区
  • 年月日: 2014-06-05
  • 招待講演
• [学会発表] Recent progress and future prospects of AlGaN deep-UV LEDs (2014)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama
  • 学会等名: The 3rd International Symposium on Next-Generation Electronics (ISNE2014)
  • 発表場所: Taoyuan, Taiwan
  • 年月日: 2014-05-07 – 2014-05-10
  • 招待講演
• [学会発表] 深紫外LEDの開発と今後の展望 (2014)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: OPTICS & PHOTONICS International Congress 2014 (OPIC2014)
  • 発表場所: パシフィコ横浜、神奈川県横浜市
  • 年月日: 2014-04-24
  • 招待講演
• [学会発表] Recent progress of AlGaN UVC LED by improving light-extraction efficiency (2014)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama
  • 学会等名: Conference on LED and its Industrial Application (LEDIA’14)
  • 発表場所: Yokohama, Japan
  • 年月日: 2014-04-22 – 2014-04-24
  • 招待講演
• [学会発表] MOCVDを用いたGaN系QCLの結晶成長と評価 (2014)
  • 著者名/発表者名: 豊田史郎、寺嶋亘、鎌田憲彦、平山秀樹
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学
• [学会発表] Growth of Connected Pillar AlN Buffer for AlGaN Deep-UV LEDs (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Toyoda, H. Hirayama, Y. Tomita and N. Kamata
  • 学会等名: The 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
  • 発表場所: Washington, DC
• [学会発表] Optical Detection of Nonradiative Recombination Centers in AlGaN Quantum Wells for Deep-UV region (2013)
  • 著者名/発表者名: A. Z. M. Touhidul Islam, N. Murakoshi,
  • 学会等名: The 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
  • 発表場所: Washington, DC
• [学会発表] AlGaN Deep-UV LEDs using High-Al-Content (42-55%) p-AlGaN Contact Layer (2013)
  • 著者名/発表者名: N. Maeda and H. Hirayama
  • 学会等名: The 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
  • 発表場所: Washington, DC
• [学会発表] Improvement of Light-Extraction Efficiency of Deep-UV LEDs using Transparent p-AlGaN Contact Layer (2013)
  • 著者名/発表者名: N. Maeda and H. Hirayama,
  • 学会等名: he 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim, The 18th OptoElectronics and Communications Conference / Photonics in Switching 2013 (CLRO-PR & OECC/PS 2013)
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] Development of Highly-Uniform 270 nm Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Mino, H. Hirayama, N. Noguchi, T. Takano and K. Tsubaki
  • 学会等名: The 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim, The 18th OptoElectronics and Communications Conference / Photonics in Switching 2013 (CLRO-PR & OECC/PS 2013)
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] AlGaN-based Deep-UV LEDs Fabricated on Connected-Pillar AlN Buffer (2013)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, Y. Tomita, S. Toyoda, S. Fujikawa and N. Kamata
  • 学会等名: The 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim, The 18th OptoElectronics and Communications Conference / Photonics in Switching 2013 (CLRO-PR & OECC/PS 2013)
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] Realization of High-Efficiency Deep-UV LEDs using Transparent p-AlGaN Contact Layer (2013)
  • 著者名/発表者名: N. Maeda and H. Hirayama
  • 学会等名: The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013)
  • 発表場所: Kobe, Japan
• [学会発表] 270nm帯深紫外LEDの大面積形成 (2013)
  • 著者名/発表者名: 美濃卓哉、平山秀樹、野口憲路、高野隆好、椿健治
  • 学会等名: 情報通信学会、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 大阪大学吹田キャンパス
• [学会発表] 透明p型AlGaNコンタクト層を用いた高効率深紫外LEDの実現 (2013)
  • 著者名/発表者名: 前田哲利、平山秀樹
  • 学会等名: 第１回光量子工学研究
  • 発表場所: 埼玉 和光
• [学会発表] AlN結合ピラーバッファーを用いた高効率深紫外LEDの検討 (2013)
  • 著者名/発表者名: 豊田史朗、鎌田憲彦、平山秀樹
  • 学会等名: 第１回光量子工学研究
  • 発表場所: 埼玉 和光
• [学会発表] p-AlGaN透明コンタクト層の組成短波長化とDUV-LEDの高効率化 (2013)
  • 著者名/発表者名: 前田哲利、平山秀樹
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス
• [学会発表] 深紫外LED用結合ピラーバッファーの改善 (2013)
  • 著者名/発表者名: 豊田史朗、水澤克哉、鎌田憲彦、平山秀樹
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス
• [学会発表] p-AlGaN透明コンタクト層を用いた深紫外LEDの高効率化の実現 (2013)
  • 著者名/発表者名: 前田哲利、藤川紗千恵、平山秀樹
  • 学会等名: 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木、神奈川
• [学会発表] 結合ピラーAlNバッファーを用いた高効率深紫外LEDの検討 (2013)
  • 著者名/発表者名: 富田優志、豊田史朗、藤川紗千恵、鎌田憲彦、平山秀樹
  • 学会等名: 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木、神奈川
• [学会発表] 深紫外LEDバッファー用結合ピラーAlNの結晶成長 (2013)
  • 著者名/発表者名: 豊田史朗、富田優志、藤川紗千恵、鎌田憲彦、平山秀樹
  • 学会等名: 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木、神奈川
• [学会発表] Recent Progress and Future Prospects of AlGaN-based Deep-UV LEDs (2012)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama
  • 学会等名: LED 50th Anniversary Symposium
  • 発表場所: Illinois, USA
  • 招待講演
• [学会発表] Development of AlGaN Deep-UV LEDs for Greentechnology Applications (2012)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama
  • 学会等名: BIT’s 1st Annual World Congress of Greentech
  • 発表場所: Guangzhou, China
  • 招待講演
• [学会発表] Development of High-Efficiency and Highly-Uniform AlGaN-Based Deep-UV Light-Emitting Diodes by 2-inch×3 Metalorganic Vapor Phase Epitaxy System (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Mino, H. Hirayama, N. Noguchi, T. Takano, A. Murai, M. Yasuda and K. Tsubaki
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
  • 発表場所: 東札幌、札幌
• [学会発表] Improvement of Light Extraction Efficiency of AlGaN Deep-UV LED using 2-Dimensional Photonic Crystal (2D-PhC) (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Fujikawa, H. Hirayama, Y. Kashima, H. Nishihara, T. Tashiro, T. Ohkawa, S. W. Youn and H. Takagi
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
  • 発表場所: 東札幌、札幌
• [学会発表] フォトニック結晶を用いたAlGaN系深紫外LEDの高効率化 (2012)
  • 著者名/発表者名: 藤川紗千恵、 平山秀樹、 鹿嶋 行、西原 浩巳、田代 貴晴、大川 貴史、尹成圓、高木秀樹
  • 学会等名: 第73回応用物理;学会学術講演会
  • 発表場所: 松山、愛媛
• [学会発表] Recent Progress and Future Prospects of AlGaN-based Deep-UV LEDs (2012)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama
  • 学会等名: 2012 German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 招待講演
• [学会発表] Improvement of Light Extraction Efficiency of AlGaN Deep-UV LED using 2-Dimensional Photonic Crystal (2D-PhC) (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Fujikawa, H. Hirayama, Y. Kashima, H. Nishihara, T. Tashiro, T. Ohkawa, S. W. Youn and H. Takagi
  • 学会等名: The 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
  • 発表場所: St. Petersburg, Russia
• [学会発表] High-Efficiency AlGaN-based Deep -V LEDs Realized by Improving Injection and Light-Extraction Efficiency (2012)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, M. Akiba, Y. Tomita, S. Fujikawa and N. Kamata
  • 学会等名: 13th International Symposium on the Science and Technology of Lighting (LS13)
  • 発表場所: Troy, USA
  • 招待講演
• [学会発表] Progress of Deep-UV LEDs using AlGaN-based semiconductors (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Fujikawa, N. Kamata and H. Hirayama
  • 学会等名: The 2nd RIKEN-McGill University Scientific Workshop
  • 発表場所: 和光、埼玉
• [学会発表] 光取出し改善による高効率AlGaN深紫外の実現
  • 著者名/発表者名: 藤川紗千恵、平山秀樹
  • 学会等名: 第3回先端フォトニクスシンポジウム
  • 発表場所: 日本学術会議講堂
• [学会発表] Development of 260 nm band deep-UV light-emitting diodes on Si substrates
  • 著者名/発表者名: T. Mino and H. Hirayama
  • 学会等名: Gallium Nitride Materials and Devices VIII in OPTO SPIE Photonic West
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 招待講演
• [学会発表] テラヘルツ量子カスケードレーザの進展
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 理研先端光領域研究シンポジウム
  • 発表場所: 和光、埼玉
  • 招待講演
• [学会発表] フォトニックナノ構造を用いた深紫外LEDの高効率化
  • 著者名/発表者名: 藤川紗千恵、平山秀樹
  • 学会等名: 先端光科学領域シンポジウム2012
  • 発表場所: 和光、埼玉
• [学会発表] p-AlGaN透明コンタクト層を用いた高効率深紫外LEDの検討
  • 著者名/発表者名: 前田哲利、藤川紗千恵、水澤克哉、平山秀樹
  • 学会等名: 先端光科学領域シンポジウム2012
  • 発表場所: 和光、埼玉
• [学会発表] 結合ピラーAlNバッファーを用いた高効率深紫外LEDの開拓
  • 著者名/発表者名: 富田優志、藤川紗千恵、豊田史朗、鎌田憲彦、平山秀樹
  • 学会等名: 先端光科学領域シンポジウム2012
  • 発表場所: 和光、埼玉
• [学会発表] InAlGaN4元混晶を用いた高効率深紫外発光デバイスの研究
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域、光・光量子科学技術の進展開、第5回シンポジウム
  • 発表場所: 千代田、東京
  • 招待講演
• [学会発表] 未踏波長半導体光源の開発とその応用
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: H24年度理研連携促進セミナー
  • 発表場所: 和光、埼玉
  • 招待講演
• [学会発表] 深紫外LEDの現状と展望
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 電子ジャーナルテクニカルセミナー
  • 発表場所: 千代田、東京
  • 招待講演
• [学会発表] AlGaN系深紫外LEDの進展と展望
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: レーザー学会、東京支部セミナー
  • 発表場所: 横浜、神奈川
  • 招待講演
• [学会発表] 深紫外LEDの進展と今後の展望
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 電気学会、光・量子デバイス研究会
  • 発表場所: 大岡山、東京
  • 招待講演
• [学会発表] 深紫外・テラヘルツ半導体発光デバイス
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 理化学研究所 チュートリアルサイエンス道場
  • 発表場所: 和光、埼玉
  • 招待講演
• [学会発表] テラヘルツ量子カスケードレーザと深紫外LEDの進展と展望
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 古河電工㈱セミナー
  • 発表場所: 横浜、神奈川
  • 招待講演
• [学会発表] 新しい光りデバイスを目指して
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 東芝機械㈱セミナー
  • 発表場所: 沼津、静岡
  • 招待講演
• [学会発表] 深紫外LEDの開発と今後の展望
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: OPTICS & PHOTONICS International 2012
  • 発表場所: 横浜、神奈川
  • 招待講演
• [図書] InterLab特集 (2014)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹、前田哲利、藤川紗知恵、豊田史郎、金澤裕也、鎌田憲彦、椿健治、阪井淳、高野隆好、美濃卓哉、野口憲路
  • 総ページ数: 7
  • 出版者: 株式会社オプトロニクス社
• [図書] 深紫外LED高効率化への新たな進展 (2014)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 総ページ数: 2
  • 出版者: オプトロニクス（OPTRONICS）
• [図書] 深紫外LED高効率化への新たな進展 (2014)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹、前田哲利、藤川紗知恵、豊田史朗、鎌田憲彦
  • 総ページ数: 9
  • 出版者: オプトロニクス（OPTRONICS）
• [図書] AlGaN系深紫外LEDの進展と今後の展望 (2013)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 総ページ数: 6
  • 出版者: 光産業技術振興協会
• [図書] ワイドギャップ半導体 (2012)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 総ページ数: 8
  • 出版者: 近未来光エコデバイスへの展開―中赤外、テラヘルツへの広がり―
• [備考] 国立研究開発法人理化学研究所 平山量子光素子研究室
  • URL: http://www.riken.jp/lab/optodevice/index.html
• [産業財産権] 半導体発光素子及び製造方法 (2013)
  • 発明者名: 平山秀樹
  • 権利者名: 平山秀樹
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2013-10-15
• [産業財産権] 結合ピラーAlNバッファーを用いた高効率深紫外発光素子 (2012)
  • 発明者名: 平山秀樹
  • 権利者名: 平山秀樹
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2012-11-02