| 研究課題/領域番号 |
24246053
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
越田 信義 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 名誉教授 (50143631)
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| 研究分担者 |
白樫 淳一 東京農工大学, 大学院工学研究院, 准教授 (00315657)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
46,670千円 (直接経費: 35,900千円、間接経費: 10,770千円)
2014年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
2013年度: 15,210千円 (直接経費: 11,700千円、間接経費: 3,510千円)
2012年度: 25,870千円 (直接経費: 19,900千円、間接経費: 5,970千円)
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| キーワード | ナノシリコン / 弾道電子放出 / 還元効果 / 薄膜堆積 / 薄膜デバイス / 還元 / プリンティング / 薄膜素子 / 電解還元 / 電子・電気材料 / 電子デバイス・機器 / シリコンナノドット / 弾道電子 / 電解還元効果 / 超薄膜 / 表面・界面物性 |
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| 研究成果の概要 |
ナノシリコン弾道電子源の還元活性に基づく新しい液相薄膜堆積の基礎検討を行い、以下の知見を得た。先ず弾道電子を溶液に注入したさいの電気化学効果を解析し、従来の電解メッキおよび電子ビーム誘起分解のいずれとも異なる還元作用が溶液界面で生じていることを明らかにした。その上で、この現象が金属および半導体（Si、Ge、SiGe）の薄膜成長をもたらすことを確認し、反応モデルにより堆積レートを定式化した。また、堆積した薄膜の構造・組成評価を行い、汚染フリーの室温プロセスとしての特長を実証した。さらに、対向基板上へ電子を近接照射するプリンティング方式を試み、Cu薄膜でその有効性を確認した。
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