| 研究課題/領域番号 |
24246054
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
宮崎 誠一 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (70190759)
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| 研究分担者 |
牧原 克典 名古屋大学, 大学院工学研究科, 准教授 (90553561)
村上 秀樹 広島大学, 先端物質科学研究科, 助教 (70314739)
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| 連携研究者 |
村上 秀樹 広島大学, 大学院先端物質科学研究科, 助教 (70314739)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
46,930千円 (直接経費: 36,100千円、間接経費: 10,830千円)
2014年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
2013年度: 14,950千円 (直接経費: 11,500千円、間接経費: 3,450千円)
2012年度: 23,010千円 (直接経費: 17,700千円、間接経費: 5,310千円)
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| キーワード | Si系量子ドット / スーパーアトム / Si量子ドット / 発光ダイオード / 量子ドット / 配列制御 |
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| 研究成果の概要 |
本年度は、PをデルタドーピングしたGeコアを有するSi量子ドットを形成し、Geコア内へのイオン化不純物添加が発光特性に及ぼす影響を評価した結果、GeコアSi量子ドットからのPLは、Geコアでの電子－正孔再結合が支配的であり、GeコアへのPのデルタドーピングにより、Pドナー準位を介した発光再結合が顕著に増加することがわかった。さらには、Si系量子ドットの6層集積構造からの電子放出において、電子放出エネルギー分布を測定した結果、2eV付近にピークを有し高エネルギー側に裾を引いたスペクトルが得られ、エネルギーバンド図を用いた解釈から、上層2層目の放出が支配的であることが分かった。
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