| 研究課題/領域番号 |
24246058
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
安田 哲二 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究部門長 (90220152)
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| 研究分担者 |
前田 辰郎 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (40357984)
宮田 典幸 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究グループ長 (40358130)
大竹 晃浩 独立行政法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料研究ユニット, 主幹研究員 (30267398)
奈良 純 独立行政法人物質・材料研究機構, 理論計算科学ユニット, 主任研究員 (30354145)
藤代 博記 東京理科大学, 基礎工学部, 教授 (60339132)
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| 連携研究者 |
市川 昌和 国立大学法人東京大学, 工学系研究科, 上席研究員 (20343147)
田中 正俊 国立大学法人横浜国立大学, 工学研究院, 教授 (90130400)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
45,630千円 (直接経費: 35,100千円、間接経費: 10,530千円)
2014年度: 14,300千円 (直接経費: 11,000千円、間接経費: 3,300千円)
2013年度: 14,820千円 (直接経費: 11,400千円、間接経費: 3,420千円)
2012年度: 16,510千円 (直接経費: 12,700千円、間接経費: 3,810千円)
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| キーワード | 電子・電気材料 / Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 / 表面・界面物性 / MOSFET / エピタキシャル成長 / Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体 / 半導体物性 / マイクロ・ナノデバイス / エピタキシャル |
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| 研究成果の概要 |
CMOSのnチャネルとpチャネルを同一の高移動度Ⅲ-Ⅴ族半導体で構成する技術を目指し、GaSbとInGaAsを候補として研究を進めた。GaSbに関して、界面双極子と界面準位の関係に着目しつつMOS界面を高品質化すると共に、GaSb表面処理法を確立した。更に、Si上へ高品質GaSbを形成するナノコンタクトヘテロエピタキシャル技術を開発した。InGaAsに関して、バンドエンジニアリングの手法としてのInとGaのオーダリングに着目し、第一原理計算により有効質量がオーダリングに依存することを見出した。また、量子補正モンテカルロ法によりⅢ-Ⅴ MOSFETの電流駆動力や遅延時間の決定要因を明らかにした。
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