| 研究課題/領域番号 |
24246103
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属物性
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
米永 一郎 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20134041)
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| 研究分担者 |
大野 裕 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (80243129)
徳本 有紀 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (20546866)
沓掛 健太朗 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (00463975)
出浦 桃子 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (90609299)
沓掛 健太朗 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (00463795)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
47,840千円 (直接経費: 36,800千円、間接経費: 11,040千円)
2014年度: 6,110千円 (直接経費: 4,700千円、間接経費: 1,410千円)
2013年度: 9,230千円 (直接経費: 7,100千円、間接経費: 2,130千円)
2012年度: 32,500千円 (直接経費: 25,000千円、間接経費: 7,500千円)
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| キーワード | 半導体物性 / 転位ナノ物性 / ワイドギャップ半導体 / 転位動特性 / 転位電子光学物性 / 転位電子光学特性 |
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| 研究成果の概要 |
III-V窒化物、II-VI亜鉛化物、IV族化合物のワイドギャップ半導体結晶について、その性能向上の阻害点となっている転位欠陥の制御を目的として、これらワイドギャップ半導体における転位の発生と運動を調べ、その支配機構を体系的に解明するとともに、転位に起因する電気・光学物性を評価することで、原子構造と電子構造を解明した。さらに転位欠陥を利用した新規デバイスの可能性を見出した。
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