立体構造半導体／酸化膜界面のハイスループットモデリング技術の開発

• 研究課題/領域番号: 24310082
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 一部基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: ナノ構造科学
• 研究機関: 早稲田大学
• 研究代表者: 渡邉 孝信 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (00367153)
• 研究期間 (年度): 2012-04-01 – 2015-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2014年度)
• 配分額: 20,410千円 (直接経費: 15,700千円、間接経費: 4,710千円); 2014年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円); 2013年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2012年度: 12,090千円 (直接経費: 9,300千円、間接経費: 2,790千円)
• キーワード: 表面・界面ナノ科学 / シリコン / 絶縁膜 / 分子動力学法

研究成果の概要

急速に進む立体構造デバイスの研究開発を基礎から支えるため、ナノスケールの半導体結晶、およびそれを覆う酸化絶縁膜の原子論的界面構造モデルを、ハイスループットで自動生成する技術を開発し、現実的な立体構造モデルを用いた様々な輸送シミュレーションを可能にした。開発した手法を熱伝導シミュレーションに応用し、ナノスケールのシリコン結晶が示す特異な熱的特性の起源の解明に成功した。

研究成果

• [雑誌論文] Particle-based Semiconductor Device Simulation Accelerated by GPU computing (2015)
  • 著者名/発表者名: Akito Suzuki, Takefumi Kamioka, Yoshinari Kamakura, and Takanobu Watanabe
  • 雑誌名: Japan Society for Simulation Technology 巻: 未定
  • NAID: 130005073851
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Effect of a SiO2 layer on the thermal transport properties of <100> Si nanowires: A molecular dynamics study (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Zushi, K. Ohmori, K. Yamada, and T. Watanabe
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: 91 号: 11
  • DOI: 10.1103/physrevb.91.115308
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Molecular Dynamics Study on the Formation of Dipole Layer at High-k/SiO2 Interfaces (2014)
  • 著者名/発表者名: Ryo Kuriyama, Masahiro Hashiguchi, Ryusuke Takahashi, Atsushi Ogura, Shinichi Satoh, and Takanobu Watanabe
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 53 号: 8S1 ページ: 08LB02-08LB02
  • DOI: 10.7567/jjap.53.08lb02
  • NAID: 210000144329
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Phonon Dispersion in<100>Si Nanowire Covered with SiO_2 Film Calculated by Molecular Dynamics Simulalion (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Zushi, K. Shimura, M. Tomita, K. Ohmori, K. Yamada, and T. Watanabe
  • 雑誌名: Journal of Solid State Science and Technology 巻: 5 号: 5 ページ: 149-154
  • DOI: 10.1149/2.010405jss
  • 査読あり
• [雑誌論文] Disorder-induced enhancement of avalanche multiplication in a silicon nanodot array (2013)
  • 著者名/発表者名: N. Mori, M. Tomita, H. Minari, T. Watanabe, and N. Koshida
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 52 号: 4S ページ: 04CJ04-04CJ04
  • DOI: 10.7567/jjap.52.04cj04
  • 査読あり
• [雑誌論文] Phonon Dispersion in <100>Si Nanowire Covered with Si02 Film Calculated by Molecular Dynamics Simulation (2012)
  • 著者名/発表者名: Takanobu Watanabe
  • 雑誌名: ECS Transcations 巻: 50 号: 9 ページ: 673-680
  • DOI: 10.1149/05009.0673ecst
  • 査読あり
• [学会発表] 複数のカメラでリアルタイム動作する3DマーカーレスARシステム (2015)
  • 著者名/発表者名: 秋山 隼哉, 臼田 稔宏, 堀 俊彦, 渡邉 孝信
  • 学会等名: The 21th Symposium on Sensing via Image Information (SSII 2015)
  • 発表場所: パシフィコ横浜
  • 年月日: 2015-06-10 – 2015-06-12
• [学会発表] 分子動力学法によるhigh-k/SiO2界面のダイポール形成シミュレーション（２） －酸素密度緩和モデルで説明できないMgO/SiO2界面ダイポールの再現－ (2015)
  • 著者名/発表者名: 功刀 遼太, 橋口 誠広, 志村 昴亮, 小椋 厚志, 佐藤 真一, 渡邉 孝信
  • 学会等名: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス
  • 年月日: 2015-03-31
• [学会発表] 酸化被膜型Siナノワイヤにおける熱伝導率低下の起源に関する原子論的考察 (2015)
  • 著者名/発表者名: 図師 知文, 大毛利 健治, 山田 啓作, 渡邉 孝信
  • 学会等名: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス
  • 年月日: 2015-03-12
  • 招待講演
• [学会発表] 酸化膜被覆型SiナノワイヤにおけるNi合金化プロセスの分子動力学的解析 (2015)
  • 著者名/発表者名: 橋本 修一郎, 木谷 哲, 図師 知文, 渡邉 孝信
  • 学会等名: 第20回ゲートスタック研究会
  • 発表場所: 東レリサーチセンター
  • 年月日: 2015-01-30
• [学会発表] High-k/SiO2界面のダイポール層がチャネル垂直方向電界に与える影響 (2015)
  • 著者名/発表者名: 志村 昂亮, 橋口 誠広, 功刀 遼太, 小椋 厚志, 佐藤 真一, 渡邉 孝信
  • 学会等名: 第20回ゲートスタック研究会
  • 発表場所: 東レリサーチセンター
  • 年月日: 2015-01-30
• [学会発表] Source-induced RDF Overwhelms RTN in Nanowire Transistor: Statistical Analysis with Full Device EMC/MD Simulation (2014)
  • 著者名/発表者名: Akito Suzuki, Takefumi Kamioka, Yoshinari Kamakura, Kenji Ohmori, Keisaku Yamada, and Takanobu Watanabe
  • 学会等名: IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2014)
  • 発表場所: Hilton San Francisco Union Square, San Francisco, USA
  • 年月日: 2014-12-14
• [学会発表] Impact of post-oxidation annealing of Si nanowire on its Ni silicidation rate (2014)
  • 著者名/発表者名: Shuichiro Hashimoto, Hiroki Kosugiyama, Kohei Takei, Jing Sun, R. Imai, H. Tokutake, Motohiro Tomita, Atsushi Ogura, Takashi Matsukawa Meishoku Masahara and Takanobu Watanabe
  • 学会等名: 27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2014)
  • 発表場所: Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka
  • 年月日: 2014-11-06
• [学会発表] Molecular Dynamics Simulation of Dipole Layer Formation at High-k/SiO2 Interface (2014)
  • 著者名/発表者名: Takanobu Watanabe, Ryo Kuriyama, Masahiro Hashiguchi, Ryusuke Takahashi, Kosuke Shimura, Atsushi Ogura, and Sinich Satoh
  • 学会等名: 226th Meeting of The Electrochemical Society
  • 発表場所: Moon Palace Resort, Cancun, Mexico
  • 年月日: 2014-10-06
  • 招待講演
• [学会発表] High-k/ High-k界面におけるダイポール形成の可能性の検討 (2014)
  • 著者名/発表者名: 橋口 誠広，志村昂亮，功刀遼太，知京豊裕，小椋厚志，佐藤真一，渡邉孝信
  • 学会等名: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学
  • 年月日: 2014-09-20
• [学会発表] 分子シミュレーションによるSi表面の空孔クラスタとNi原子の相互作用の解析 (2014)
  • 著者名/発表者名: 木谷哲，橋本修一郎，武良光太郎，今津研太，小花絃暉，神岡武文，渡邉孝信
  • 学会等名: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学
  • 年月日: 2014-09-20
• [学会発表] 酸化被膜型Siナノワイヤにおける熱伝導率低下の起源に関する考察 (2014)
  • 著者名/発表者名: 図師知文，大毛利健治，山田啓作，渡邉孝信
  • 学会等名: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学
  • 年月日: 2014-09-19
• [学会発表] 酸化膜トラップ電荷によるSiナノワイヤトランジスタの電流ばらつきの統計的解析 (2014)
  • 著者名/発表者名: 鈴木晃人，神岡武文，鎌倉良成，渡邉孝信
  • 学会等名: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学
  • 年月日: 2014-09-19
• [学会発表] 分子動力学法によるhigh-k/SiO2界面のダイポール形成シミュレーション －正負両方向のダイポール層の再現－ (2014)
  • 著者名/発表者名: 志村昂亮，橋口 誠広，功刀遼太，小椋厚志，佐藤真一，渡邉孝信
  • 学会等名: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学
  • 年月日: 2014-09-19
• [学会発表] Niシリサイド化速度のSi結晶構造依存性 -分子動力学法による解析- (2014)
  • 著者名/発表者名: 橋本修一郎，小杉山洋希，セイ ソン，武井康平，木谷哲，図師知文，渡邉孝信
  • 学会等名: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学
  • 年月日: 2014-09-17
• [学会発表] Full-Scale Whole Device EMC/MD Simulation of Si Nanowire Transistor Including Source and Drain Regions by Utilizing Graphic Processing Units (2014)
  • 著者名/発表者名: Akito Suzuki, Takefumi Kamioka, Yoshinari Kamakura, and Takanobu Watanabe
  • 学会等名: 2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD 2014)
  • 発表場所: Mielparque Yokohama, Yokohama
  • 年月日: 2014-09-11
• [学会発表] Thermal Transport Properties of Si Nanowire Covered with SiO2 Layer: A Molecular Dynamics Study (2014)
  • 著者名/発表者名: Tomofumi Zushi, Kenji Ohmori, Keisaku Yamada, and Takanobu Watanabe
  • 学会等名: 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014)
  • 発表場所: Epocal Tsukuba, Tsukuba
  • 年月日: 2014-09-10
• [学会発表] ショットキー障壁トンネルFETの伝達特性に鏡像効果が及ぼす影響 (2013)
  • 著者名/発表者名: 橋本 修一郎
  • 学会等名: 第60回応用物理学関連連合講演会
  • 発表場所: 厚木
  • 年月日: 2013-03-28
• [学会発表] GPU並列計算による計算によるキャリア輸送シミュレーションの高速化輸送シミュレーションの高速化 (2013)
  • 著者名/発表者名: 鈴木 晃人
  • 学会等名: 第60回応用物理学関連連合講演会
  • 発表場所: 厚木
  • 年月日: 2013-03-28
• [学会発表] シャドーイング効果を利用した低エネルギーイオン誘起損傷のその場STM観察 (2013)
  • 著者名/発表者名: 武良 光太郎
  • 学会等名: 第60回応用物理学関連連合講演会
  • 発表場所: 厚木
  • 年月日: 2013-03-27
• [学会発表] 非対称ホーン形状チャネルによるキャリア輸送の制御:EMC/MDシミュレーションによる検討 (2013)
  • 著者名/発表者名: 神岡 武文
  • 学会等名: ゲートスタック研究会(第18回)―材料・プロセス・評価の物理―
  • 発表場所: 湯河原
  • 年月日: 2013-01-25
• [学会発表] 全周ゲート型ショットキー障壁トンネルFET特性に鏡像効果が及ぼす影響 (2013)
  • 著者名/発表者名: 川村 祐士
  • 学会等名: ゲートスタック研究会(第18回)―材料・プロセス・評価の物理―
  • 発表場所: 湯河原
  • 年月日: 2013-01-25
• [学会発表] Current fluctuation in sub-nano second regime in gate-all-around nanowire channels studied with ensemble Monte Carlo/molecular dynamics simulation (2012)
  • 著者名/発表者名: Takefumi Kamioka
  • 学会等名: IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2012)
  • 発表場所: USA San Fransico
  • 年月日: 2012-12-11
• [学会発表] 立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション (2012)
  • 著者名/発表者名: 図師 知文
  • 学会等名: シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-11-16
• [学会発表] In-Situ Scanning Tunneling Microscopy of Ion Irradiation Process on Wire-patterned Si Surface (2012)
  • 著者名/発表者名: Fumiya Isono
  • 学会等名: 34th International Symposium on Dry Process (DPS 2012)
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-11-15
• [学会発表] Molecular Dynamics Simulation of Thermal Properties of Nanoscale Silicon Structures Covered with Oxide Film (2012)
  • 著者名/発表者名: Takanobu Watanabe
  • 学会等名: The 3rd Advanced Materials Development and Integration of Novel Structured Metallic and Inorganic Materials (AMDI-3)
  • 発表場所: 豊橋(Invited) )
  • 年月日: 2012-11-07
• [学会発表] Impact of oxidation induced atomic disorder in narrow Si nanowires on transistor performance (2012)
  • 著者名/発表者名: 図師 知文
  • 学会等名: 第12回関西コロキアム・電子デバイスワークショップ
  • 発表場所: 大阪
  • 年月日: 2012-10-25
• [学会発表] Phonon Dispersion in <100>Si Nanowire Covered with Si02 Film Calculated by Molecular Dynamics Simulation (2012)
  • 著者名/発表者名: Takanobu Watanabe
  • 学会等名: PRiME 2012, ECS 222nd Meeting, SiGe, Ge, and Related Compounds : Materials, Processing, and Devices 5
  • 発表場所: USA Honolulu
  • 年月日: 2012-10-10
• [学会発表] Disorder-Induced Enhancement of Avalanche Multiplication in a Silicon Nanodot Array (2012)
  • 著者名/発表者名: Nobuya Mori
  • 学会等名: 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
  • 発表場所: 京都
  • 年月日: 2012-09-25
• [学会発表] Disorder-Induced Enhancement of Impact Ionization Rate in Silicon Nanodots (2012)
  • 著者名/発表者名: Nobuya Mori
  • 学会等名: International Union of Materials Research Societies - Internatinal Conference on Electronic Materials 2012 (IUMRS-ICEM 2012)
  • 発表場所: 横浜
  • 年月日: 2012-09-25
• [学会発表] 酸化膜に覆われたナノワイヤ型Si結晶のフォノン分散関係 (2012)
  • 著者名/発表者名: 富田 将典
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山
  • 年月日: 2012-09-14
• [学会発表] 分子動力学法による立体構造シリコン中の熱輸送シミュレーション (2012)
  • 著者名/発表者名: 図師 知文
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山
  • 年月日: 2012-09-14
• [学会発表] GAA NWチャネルにおける酸化膜中単一トラップ電荷の影響調査 : EMC/MDシミュレーションによる解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 神岡 武文
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山
  • 年月日: 2012-09-14
• [学会発表] ナノサイズの金属/半導体界面における鏡像効果 (2012)
  • 著者名/発表者名: 川村 祐士
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山
  • 年月日: 2012-09-14
• [学会発表] 非対称チャネルにおけるキャリア輸送のEMC/MDシミュレーション(II) (2012)
  • 著者名/発表者名: 今井 裕也
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山
  • 年月日: 2012-09-14
• [学会発表] 分子動力学法によるGeナノワイヤのストレス分布解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 青木 直成
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山
  • 年月日: 2012-09-12
• [学会発表] 多結晶シリコン粒界における酸化誘起ストレス分布 : 分子動力学法による解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 栗山 亮
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山
  • 年月日: 2012-09-12
• [学会発表] Molecular Dynamics Simulation of Heat Transport in Silicon Fin Structures (2012)
  • 著者名/発表者名: Tomofumi Zushi
  • 学会等名: 2012 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
  • 発表場所: USA Denver
  • 年月日: 2012-09-05
• [学会発表] Impact of single trapped charge in gate-all-around nanowire channels studied by ensemble Monte Carlo/molecular dynamics simulation (2012)
  • 著者名/発表者名: Tomofumi Zushi
  • 学会等名: 2012 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
  • 発表場所: USA Denver
  • 年月日: 2012-09-05
• [学会発表] Effects of atomic disorder on impact ionization rate in silicon nanodots (2012)
  • 著者名/発表者名: Nobuya Mori
  • 学会等名: 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012)
  • 発表場所: Switzerland Zurich
  • 年月日: 2012-07-31
• [学会発表] Accelerated parallel computing of carrier transport simulation utilizing graphic processing units
  • 著者名/発表者名: Akito Suzuki, Takefumi Kamioka, Hiroya Imai, Yoshinari Kamakura , and Takanobu Watanabe
  • 学会等名: 16th International Workshop on Computational Electronics
  • 発表場所: Nara Prefectural New Public Hall
• [学会発表] Effect of Interface Roughness on Carrier Transport in Asymmetric Channel: An EMC/MD Simulation Study
  • 著者名/発表者名: Hiroya Imai, Takefumi Kamioka, Yoshinari Kamakura, Kenji Ohmori, Kenji Shiraishi, Masaaki Niwa, Keisaku Yamada and Takanobu Watanabe
  • 学会等名: 16th International Workshop on Computational Electronics
  • 発表場所: Nara Prefectural New Public Hall
• [学会発表] Recent Progress in Molecular Dynamics Simulation of Semiconductor Interfaces
  • 著者名/発表者名: Takanobu Watanabe
  • 学会等名: 2013 NIMS CONFERENCE
  • 発表場所: EPOCHAL TSUKUBA
  • 招待講演
• [学会発表] Molecular Dynamics Study on Dipole Layer Formation at Al2O3/SiO2 Interface
  • 著者名/発表者名: Ryo Kuriyama, Masahiro Hashiguchi, Ryusuke Takahashi, Atsushi Ogura, Shinichi Satoh and Takanobu Watanabe
  • 学会等名: 2013 NIMS CONFERENCE
  • 発表場所: EPOCHAL TSUKUBA
• [学会発表] Electrostatic Force Originated From the Dipole Layer at Al2O3/SiO2 Interface
  • 著者名/発表者名: Masahiro Hashiguchi, Ryo Kuriyama, Ryusuke Takahashi, Atsushi Ogura, Shinichi Satoh and Takanobu Watanabe
  • 学会等名: 2013 NIMS CONFERENCE
  • 発表場所: EPOCHAL TSUKUBA
• [学会発表] GPU並列計算による計算によるキャリア輸送シミュレーョンの高速化
  • 著者名/発表者名: 鈴木晃人、今井裕也、神岡武文、鎌倉良成、渡邉孝信
  • 学会等名: 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会モデリング研究集会
  • 発表場所: 機会振興会館
  • 招待講演
• [学会発表] 分子動力学シミュレーションによるAl2O3/SiO2界面のダイポール層の再現
  • 著者名/発表者名: 栗山亮，橋口誠広，高橋隆介，小椋厚志，佐藤真一，渡邉孝信
  • 学会等名: 第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス
• [学会発表] Al2O3/SiO2 界面のダイポールが誘起するチャネル内の静電界
  • 著者名/発表者名: 橋口誠広，栗山亮，高橋隆介，小椋厚志，佐藤真一，渡邉孝信
  • 学会等名: 第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス
• [学会発表] Si(111)表面へのNiイオン照射過程のリアルタイムSTM観察
  • 著者名/発表者名: 武良光太郎，神岡武文，木谷哲，今津研太，渡邉孝信
  • 学会等名: 第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス
• [学会発表] コア-シェルゲート構造によるショットキー障壁トンネルFETの特性改善
  • 著者名/発表者名: 橋本修一郎，鹿浜康寛，渡邉孝信
  • 学会等名: 第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス
• [学会発表] Siナノワイヤ中のNiシリサイド成長速度 (1) 熱履歴依存性
  • 著者名/発表者名: 山下広樹，鹿浜康寛，小杉山洋希，橋本修一郎，武井康平，孫静，松川貴，昌原明植，渡邉孝信
  • 学会等名: 第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス
• [学会発表] Siナノワイヤ中のNiシリサイド成長速度 (2) 不純物濃度依存性
  • 著者名/発表者名: 小杉山洋希，鹿浜康寛，山下広樹，橋本修一郎，武井康平，孫静，松川貴，昌原明植，渡邉孝信
  • 学会等名: 第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス
• [学会発表] Real-time Scanning Tunneling Microscopy Observation of Ni Ion Irradiation Process on Si(111) Surfaces
  • 著者名/発表者名: Kotaro Mura, Takefumi Kamioka, Tetsu Kitani, Kenta Imazu, and Takanobu Watanabe
  • 学会等名: 12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-12)
  • 発表場所: EPOCHAL TSUKUBA
• [学会発表] Effect of the Thermal History on Ni Silicidation Rate in Si Nanowires
  • 著者名/発表者名: Hiroki Yamashita, Hiroki Kosugiyama, Yasuhiro Shikahama, Shuichiro Hashimoto, Kouhei Takei , Jing Sun, Takashi Matsukawa, Meishoku Masahara, and Takanobu Watanabe
  • 学会等名: 26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
  • 発表場所: Royton Sapporo
• [学会発表] Molecular Dynamics Study on the Formation of Dipole Layer at High-k/SiO2 Interfaces
  • 著者名/発表者名: Ryo Kuriyama, Masahiro Hashiguchi, Ryusuke Takahashi, Atsushi Ogura, Shinichi Satoh, Takanobu Watanabe
  • 学会等名: 2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY -
  • 発表場所: University of Tsukuba (Tokyo Campus)
• [学会発表] Al2O3/SiO2界面の分子動力学シミュレーション
  • 著者名/発表者名: 渡邉孝信
  • 学会等名: CVD反応分科会 第21回シンポジウム
  • 発表場所: 東京大学山上会館
  • 招待講演
• [学会発表] MD法で探る半導体と絶縁膜の界面構造
  • 著者名/発表者名: 渡邉孝信
  • 学会等名: 富士通計算化学ユーザーフォーラム2013
  • 発表場所: 富士通トラステッド・クラウド・スクエア
  • 招待講演
• [学会発表] High-k/SiO2 界面のダイポール層がチャネル内電界に与える影響
  • 著者名/発表者名: 橋口 誠広, 栗山 亮, 志村 昂亮, 高橋 隆介, 小椋 厚志, 佐藤 真一, 渡邉 孝信
  • 学会等名: ゲートスタック研究会
  • 発表場所: ニューウェルシティー湯河原
• [学会発表] Siナノワイヤ形成プロセスがその後のNiシリサイド化反応速度に与える影響
  • 著者名/発表者名: 小杉山 洋希, 鹿浜 康寛, 山下 広樹, 橋本 修一郎, 武井 康平, 孫 静, 松川 貴, 昌原 明植, 渡邉 孝信
  • 学会等名: ゲートスタック研究会
  • 発表場所: ニューウェルシティー湯河原
• [学会発表] 酸化膜に覆われたナノワイヤ型Si結晶のフォノン分散関係に格子歪が及ぼす影響
  • 著者名/発表者名: 図師 知文, 志村 昂亮, 大毛利 健治, 山田 啓作 , 渡邉 孝信
  • 学会等名: ゲートスタック研究会
  • 発表場所: ニューウェルシティー湯河原
• [学会発表] 分子動力学法による酸化膜被覆型Siナノワイヤのフォノン解析
  • 著者名/発表者名: 渡邉孝信
  • 学会等名: 電気学会 ナノエレクトロニクス集積化・応用技術調査専門委員会
  • 発表場所: 早稲田大学研究開発センター
  • 招待講演
• [学会発表] High-k/SiO2界面のダイポール層形成メカニズムの考察 －多重極子誘起酸素移動モデルの提案－
  • 著者名/発表者名: 志村昂亮，栗山亮，橋口誠広，高橋隆介，小椋厚志，佐藤真一，渡邉孝信
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学
• [学会発表] ソース・ドレインの不純物位置ばらつきによる電流ばらつきの解析
  • 著者名/発表者名: 鈴木晃人，阿久津梨花，今井裕也，神岡武文，鎌倉良成，渡邉孝信
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学
• [学会発表] Impact of Surface Roughness on Thermoelectric Properties of Silicon Nanotubes
  • 著者名/発表者名: 図師知文，CrestiAlessandro，Pala Marco，山田啓作，渡邉孝信
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学
• [学会発表] Siナノワイヤ幅の縮小によるカーケンダルボイド発生の抑制
  • 著者名/発表者名: 武井康平，鹿浜康寛，山下広樹，小杉山洋希，橋本修一郎，孫静，松川貴，昌原明植，渡邉孝信
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学