| 研究課題/領域番号 |
24310086
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
黒田 眞司 筑波大学, 数理物質系, 教授 (40221949)
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| 研究分担者 |
金澤 研 筑波大学, 数理物質系, 助教 (60455920)
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| 連携研究者 |
三留 正則 独立行政法人物質・材料研究機, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 研究員 (50344410)
大渕 博宣 (財)高輝度光科学研究センター, 産業利用推進室, 研究員 (40312996)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
20,410千円 (直接経費: 15,700千円、間接経費: 4,710千円)
2014年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2013年度: 7,930千円 (直接経費: 6,100千円、間接経費: 1,830千円)
2012年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円)
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| キーワード | スピントロニクス / 希薄磁性半導体 / 磁性元素 / スピン偏極電子源 / 強磁性半導体 / クラスター / ハイブリッド構造 / ハーフメタル / 超常磁性 |
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| 研究成果の概要 |
半導体に磁性元素を添加した希薄磁性半導体(DMS)における磁性元素の凝集についての研究を行った。分子線エピタキシー(MBE)によりII-VI族半導体ZnTeに遷移元素CrまたはFeを添加したDMS薄膜を作製し、結晶中の遷移元素の凝集の様子を調べ、磁化特性との相関を明らかにした。いずれのDMSにおいても、MBEの成長条件により遷移元素の凝集の様子が変化し、それに伴い、強磁性特性が大きく変わることが明らかになった。
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