| 研究課題/領域番号 |
24310105
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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| 研究機関 | 東京農工大学 (2014-2015)
大阪大学 (2012-2013) |
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研究代表者 |
前橋 兼三 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (40229323)
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| 研究分担者 |
大野 恭秀 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (90362623)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
16,120千円 (直接経費: 12,400千円、間接経費: 3,720千円)
2014年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2013年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2012年度: 8,190千円 (直接経費: 6,300千円、間接経費: 1,890千円)
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| キーワード | グラフェン / 電界効果トランジスタ / イオン液体 / ラマン散乱分光 / 直接成長 / ラマン散乱 / バンドギャップ / 電界印加 |
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| 研究成果の概要 |
本研究ではイオン液体ゲート構造を有するグラフェン電子デバイスを作製し、高効率で電界を印加することによって、グラフェンのバンドギャップ生成制御に成功した。さらに、イオン液体中で電荷印加時にラマン散乱分光を入射することにより、バンドギャップ生成制御中での光学特性を調べた。また、新しい形成方法として、絶縁膜上に非晶質カーボンおよび触媒金属を堆積し加熱またはレーザ照射することによって、グラフェンを絶縁膜上に直接成長することに成功し、グラフェン電子デバイスの作製を行った。
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