| 研究課題/領域番号 |
24340144
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
プラズマ科学
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| 研究機関 | 長崎大学 |
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研究代表者 |
篠原 正典 長崎大学, 工学研究科, 助教 (80346931)
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| 連携研究者 |
松田 良信 長崎大学, 工学研究科, 准教授 (60199817)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
14,430千円 (直接経費: 11,100千円、間接経費: 3,330千円)
2014年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2013年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2012年度: 9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円)
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| キーワード | 炭化水素プラズマ / アモルファス炭素膜 / 高分子量のラジカル・イオン / 成膜 / 反応過程 / 赤外分光 / 付加反応 / 高次のラジカル・イオン / プラズマ-固体表面相互作用 / 赤外吸収分光 / 高分子量 / 炭素膜 / ベンゼン環 / 原料分子 / 赤外吸収分光法 / 堆積速度 |
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| 研究成果の概要 |
研究代表者は，炭化水素のプラズマを用いたアモルファス炭素膜の成膜プロセスにおいて，分子量の大きいラジカルやイオン(高次のラジカル・イオン)の反応も重要であることを明らかにしてきた。そこで，ベンゼンプラズマを生成し，その成膜過程を多重内部反射赤外吸収分光法を用いたその場・実時間計測により調べた。プラズマ中でフェニルラジカルが形成され，基板に吸着する際にはすでに吸着したフェニルラジカルと互いの二重結合を単結合にして吸着する反応が見られた。基板に負バイアスを印加し，イオン成分を基板に引き込むと，付加反応は見られるものの，基板上のフェニルラジカルは分解されアルカン成分に変化することも分かった。
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