| 研究課題/領域番号 |
24360001
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 (2013-2015)
東北大学 (2012) |
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研究代表者 |
宇佐美 徳隆 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (20262107)
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| 研究分担者 |
有元 圭介 山梨大学, 総合研究部, 准教授 (30345699)
澤野 憲太郎 東京都市大学, 工学部, 教授 (90409376)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2014年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2013年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2012年度: 10,400千円 (直接経費: 8,000千円、間接経費: 2,400千円)
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| キーワード | 歪みシリコン / ヘテロ構造 / 分子線エピタキシー |
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| 研究成果の概要 |
イオン注入により意図的に残留欠陥を発生させたシリコン(100)基板上にガスソース分子線エピタキシー法用いてシリコン／シリコンカーボンヘテロ構造を結晶成長することで、二軸性圧縮歪みを有するシリコン薄膜を形成できることを示した。この薄膜は８００度までの熱処理に対して安定であるが、９００度以上の熱処理ではカーボン原子の析出が生じる。また、アルゴンイオン注入を利用して高品質な圧縮歪みシリコン／シリコンカーボンヘテロ構造を実現するための注入エネルギーは45keV未満が望ましいことを見出した。
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