| 研究課題/領域番号 |
24360003
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 群馬大学 |
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研究代表者 |
保坂 純男 群馬大学, 大学院理工学府, 教授 (10334129)
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| 研究分担者 |
桑原 正史 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門・メゾ構造制御グループ, 研究員 (60356954)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2014年度: 7,020千円 (直接経費: 5,400千円、間接経費: 1,620千円)
2013年度: 7,410千円 (直接経費: 5,700千円、間接経費: 1,710千円)
2012年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
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| キーワード | 相変化メモリ / 結晶化 / 結晶化温度 / 階段パルス / 結晶化温度時間特性 / 電流加熱シミュレーション / 多値記録 / 相変化 / 活性エネルギ / 温度抵抗特性 / 温度シミュレーション / ナノ秒領域 / 高速度結晶化 |
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| 研究成果の概要 |
本研究は不揮発メモリに使用する相変化材料についてナノ秒領域での結晶化温度特性について調べた。実験では階段パルスを用いて相変化材料を溶融、結晶化することをナノ秒領域で計測した。計算では、相変化材料内の温度をナノ秒領域で予測した。実験の結晶化率と計算の温度分布からナノ秒領域における結晶化温度特性を得た。試料はGe2Sb2Te5とGeTeを用いた。前者では、100%結晶化率には約300nsが必要で、結晶化温度は、100nsで約320℃であった。一方、後者では100%結晶化率に40ns、結晶化温度は、40nsで約180℃であった。GeTeの原子が動き易いことが分かり、本研究手法を確立することができた。
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