深紫外光透過性発現メカニズム解明による実用的バルク窒化アルミニウム結晶の創出

• 研究課題/領域番号: 24360006
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 一部基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 応用物性・結晶工学
• 研究機関: 東京農工大学
• 研究代表者: 熊谷 義直 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (20313306)
• 研究分担者: 村上 尚 東京農工大学, 大学院工学研究院, 准教授 (90401455)
• 研究協力者: SITAR Zlatko North Carolina State University, Department of Materials Science and Engineering, Professor ; 永島 徹 株式会社トクヤマ, 筑波研究所, 主任
• 研究期間 (年度): 2012-04-01 – 2015-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2014年度)
• 配分額: 19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円); 2014年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円); 2013年度: 7,020千円 (直接経費: 5,400千円、間接経費: 1,620千円); 2012年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
• キーワード: 窒化アルミニウム / 転位密度 / 深紫外光透過性 / HVPE法 / 不純物 / 深紫外線LED / MOVPE法 / 昇華法 / 深紫外発光ダイオード

研究成果の概要

物理気相輸送(PVT)法で作製した低転位密度(<1000 /cm2)の窒化アルミニウム(AlN)単結晶基板上へのハイドライド気相成長(HVPE)法によるホモエピタキシャル厚膜成長を検討した。HVPE成長層から作製した自立AlN基板は、PVT-AlN基板と同等の高い結晶品質、また光吸収端206.5 nmの深紫外光透過性を有していた。深紫外光透過性の発現は、炭素不純物濃度が極めて低いことにより得られることが分かった。実際に、HVPE-AlN基板上に有機金属気相成長(MOVPE)法により260 nm帯の深紫外線LED構造を成長し、電流注入発光をAlN基板側より取り出すことに成功した。

研究成果

• [雑誌論文] The role of the carbon-silicon complex in eliminating deep ultraviolet absorption in AlN (2014)
  • 著者名/発表者名: B. E. Gaddy, Z. Bryan, I. Bryan, J. Xie, R. Dalmau, B. Moody, Y. Kumagai, T. Nagashima, Y. Kubota, T. Kinoshita, A. Koukitu, R. Kirste, Z. Sitar, R. Collazo, and D. L. Irving
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 104 号: 20
  • DOI: 10.1063/1.4878657
  • 査読あり
• [雑誌論文] Vacancy defects in UV-transparent HVPE-AlN (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Kuittinen, F. Tuomisto, Y. Kumagai, T. Nagashima, T. Kinoshita, A. Koukitu, R. Collazo, and Z. Sitar
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (c) 巻: 11 号: 3-4 ページ: 405-407
  • DOI: 10.1002/pssc.201300529
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-Temperature Heat-Treatment of c-, a-, r-, and m-Plane Sapphire Substrates in Mixed Gases of H2 and N2 (2013)
  • 著者名/発表者名: Kazushiro Nomura, Shoko Hanagata, Atsushi Kunisaki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 52 号: 8S ページ: 08JB10-08JB10
  • DOI: 10.7567/jjap.52.08jb10
  • 査読あり
• [雑誌論文] Performance and Reliability of Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Substrates Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Kinoshita, T. Obata, T. Nagashima, H. Yanagi, B. Moody, S. Mita, S. Inoue, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 6 号: 9 ページ: 092103-092103
  • DOI: 10.7567/apex.6.092103
  • 査読あり
• [雑誌論文] Vacancy compensation and related donor-acceptor pair recombination in bulk AlN (2013)
  • 著者名/発表者名: B. E. Gaddy, Z. Bryan, I. Bryan, R. Kirste, J. Xie, R. Dalmau, B. Moody, Y. Kumagai, T. Nagashima, Y. Kubota, T. Kinoshita, A. Koukitu, Z. Sitar, R. Collazo, and D. L. Irving
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 103 号: 16
  • DOI: 10.1063/1.4824731
  • 査読あり
• [雑誌論文] On the origin of the 265 nm absorption band in AlN bulk crystals (2012)
  • 著者名/発表者名: Ram Collazo
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 100 号: 19 ページ: 1919141-5
  • DOI: 10.1063/1.4717623
  • 査読あり
• [雑誌論文] Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport (2012)
  • 著者名/発表者名: Yoshinao Kumagai
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 5 号: 5 ページ: 0555041-3
  • DOI: 10.1143/apex.5.055504
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structural and Optical Properties of Carbon-Doped AlN Substrates Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy Using AlN Substrates Prepared by Physical Vapor Transport (2012)
  • 著者名/発表者名: Toru Nagashima
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 5 号: 12 ページ: 1255011-3
  • DOI: 10.1143/apex.5.125501
  • 査読あり
• [雑誌論文] Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Substrates Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy (2012)
  • 著者名/発表者名: Toru Kinoshita
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 5 号: 12 ページ: 1221011-3
  • DOI: 10.1143/apex.5.122101
  • 査読あり
• [学会発表] High-purity and highly-transparent AlN bulk crystal growth for UVC LED application by HVPE (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Kumagai, T. Nagashima, T. Kinoshita, R. Togashi, R. Yamamoto, B. Moody, H. Murakami, R. Collazo, A. Koukitu and Z. Sitar
  • 学会等名: 2015 Photonics West
  • 発表場所: The Moscone Center, San Francisco, California, U.S.A.
  • 年月日: 2015-02-09
  • 招待講演
• [学会発表] Predicted Properties of Point Defects and Complexes in AlN and AlGaN (2014)
  • 著者名/発表者名: B. E. Gaddy, Z. Bryan, I. Bryan, R. Kirste, J. Xie, R. Dalmau, B. Moody, Y. Kumagai, T. Nagashima, Y. Kubota, T. Kinoshita, A. Koukitu, R. Collazo, Z. Sitar and D. L. Irving
  • 学会等名: 2014 MRS Fall Meeting and Exhibit
  • 発表場所: Hynes Convention Center, Boston, Massachusetts, U.S.A.
  • 年月日: 2014-12-04
• [学会発表] HVPE法によるAlN/sapphireテンプレート上へのSiドープAlN成長の検討 (2014)
  • 著者名/発表者名: 田中凌平，東城俊介，額賀俊成，富樫理恵，永島徹，木下亨，Baxter Moody，村上尚，Ramon Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
  • 学会等名: 応用物理学会第3回結晶工学未来塾
  • 発表場所: 学習院創立百周年記念会館（東京都豊島区）
  • 年月日: 2014-11-13
• [学会発表] Performance and Reliability of Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Substrates Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy (2014)
  • 著者名/発表者名: 木下亨，小幡俊之，永島徹，柳裕之，Baxter Moody，三田清二，井上振一郎，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
  • 学会等名: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）
  • 年月日: 2014-09-18
  • 招待講演
• [学会発表] AlNのHVPE高温ホモエピタキシャル成長における基板昇降温時表面劣化の原因 (2014)
  • 著者名/発表者名: 東城俊介，田中凌平，額賀俊成，富樫理恵，永島徹，木下亨，Baxter Moody，村上尚，Ramon Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
  • 学会等名: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）
  • 年月日: 2014-09-17
• [学会発表] Characterizing The Role of Point Defects and Complexes in UV Absorption and Emission in AlN (2014)
  • 著者名/発表者名: B. E. Gaddy, Z. A. Bryan, I. S. Bryan, R. Kirste, J. Xie, R. Dalmau, B. Moody, Y. Kumagai, T. Nagashima, Y. Kubota, T. Kinoshita, A. Koukitu, R. Collazo, Z. Sitar and D. L. Irving
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
  • 発表場所: Centennial Hall, Wroclaw, Poland
  • 年月日: 2014-08-27
• [学会発表] Growth of AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Kumagai, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, A. Koukitu and Z. Sitar
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
  • 発表場所: Centennial Hall, Wroclaw, Poland
  • 年月日: 2014-08-26
  • 招待講演
• [学会発表] Growth of Si-Doped AlN Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy (2014)
  • 著者名/発表者名: R. Tanaka, S. Tojo, T. Nukaga, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
  • 発表場所: Centennial Hall, Wroclaw, Poland
  • 年月日: 2014-08-26
• [学会発表] Investigation of Ambient Gas after High-Temperature Growth of AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy (2014)
  • 著者名/発表者名: S. Tojo, R. Tanaka, T. Nukaga, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
  • 発表場所: Centennial Hall, Wroclaw, Poland
  • 年月日: 2014-08-26
• [学会発表] HVPE法によるAlN単結晶自立基板の作製とそのデバイス応用 (2014)
  • 著者名/発表者名: 熊谷義直，永島徹，木下亨，村上尚，纐纈明伯
  • 学会等名: 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 名城大学天白キャンパス（愛知県名古屋市）
  • 年月日: 2014-07-25
  • 招待講演
• [学会発表] AlN高温HVPE成長における基板昇降温プロセスが表面に与える影響 (2014)
  • 著者名/発表者名: 東城俊介，田中凌平，額賀俊成，富樫理恵，永島徹，木下亨，Baxter Moody，村上尚，Ramon Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
  • 学会等名: 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 名城大学天白キャンパス（愛知県名古屋市）
  • 年月日: 2014-07-25
• [学会発表] AlN/sapphireテンプレート上へのSiドープAlN層のHVPE成長の検討 (2014)
  • 著者名/発表者名: 田中凌平，東城俊介，額賀俊成，富樫理恵，永島徹，木下亨，Baxter Moody，村上尚，Ramon Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
  • 学会等名: 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 名城大学天白キャンパス（愛知県名古屋市）
  • 年月日: 2014-07-25
• [学会発表] MOCVD growth of AlGaN alloy for DUV-LEDs (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Kinoshita, T. Obata, T. Nagashima, H. Yanagi, B. Moody, S. Inoue, Y. Kumagai, A. Koukitu, R. Collazo, and Z. Sitar
  • 学会等名: 17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
  • 発表場所: EPFL, Lausanne, Switzerland
  • 年月日: 2014-07-15
  • 招待講演
• [学会発表] Deep UV-LEDs Fabricated of on HVPE-AlN Substrates (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Kinoshita, T. Obata, T. Nagashima, H. Yanagi, B. Moody, R. Collazo, S. Inoue, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
  • 学会等名: 5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
  • 発表場所: The Westin Peachtree Plaza, Atlanta, Georgia, U.S.A.
  • 年月日: 2014-05-21
  • 招待講演
• [学会発表] Hydride Vapor Phase Epitaxy and Doping of AlN (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Kumagai, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, A. Koukitu and Z. Sitar
  • 学会等名: 5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
  • 発表場所: The Westin Peachtree Plaza, Atlanta, Georgia, U.S.A.
  • 年月日: 2014-05-19
  • 招待講演
• [学会発表] Deep ultraviolet light-emitting diodes fabricated on AIN substrates prepared by hydride vapor phase epitaxy (2013)
  • 著者名/発表者名: T, Kinoshita, K, Hironaka, T, Obata, T, Nagashima, R, F, Dalmau, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, S, Inoue, Y, Kumagai, A, Koukitu, Z, Sitar
  • 学会等名: 2013 Photonics West
  • 発表場所: The Moscone Center, San Francisco (米国)
  • 年月日: 2013-02-06
• [学会発表] Hetero- and Homo-Epitaxy of Thick AIN Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy (2012)
  • 著者名/発表者名: Y, Kumagai, Y, Kubota, T, Nagashima, T, Kinoshita, R, Dalmau, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, H, Murakami, A, Koukitu, Z, Sitar
  • 学会等名: 2012 Collaborative Conference on Crystal Growth
  • 発表場所: Doubletree by Hilton Orlandoat SeaWorld (米国)(招待講演)
  • 年月日: 2012-12-12
• [学会発表] HVPE法による深紫外光透過性を有する高品質AINウェーハーの作製 (2012)
  • 著者名/発表者名: 坂巻鮨之介, 久保田有紀, 永島徹, 木下亨, R, Dalmau, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯, Z, Sitar
  • 学会等名: 第42回結晶成長国内会議
  • 発表場所: 九州大学筑紫キャンパス
  • 年月日: 2012-11-09
• [学会発表] On the origin of the 265 nm absorption band in AIN bulk crystals (2012)
  • 著者名/発表者名: R, Collazo, J, Xie, B, E, Gaddy, Z, Bryan, R, Kirste, M, Hoffmann, R, Dalmau, B, Moody, Y, Kumagai, T, Nagashima, Y, Kubota, T, Kinoshita, A, Koukitu, D, L, Irving, Z, Sitar
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
  • 発表場所: 札幌コンベンションセンター
  • 年月日: 2012-10-18
• [学会発表] Optical and structural properties of intentionally C-doped thick HVPE AIN layers grown on PVT AIN substrates (2012)
  • 著者名/発表者名: T, Nagashima, Y, Kubota, T, Kinoshita, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, H, Murakami, Y, Kumagai, A, Koukitu, Z, Sitar
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
  • 発表場所: 札幌コンベンションセンター
  • 年月日: 2012-10-18
• [学会発表] Prediction of point defect behavior in nitrides using hybrid exchange DFT: Applications to the deep-UV absorption band in AIN (2012)
  • 著者名/発表者名: Z, Sitar, B, E, Gaddy, R, Collazo, J, Xie, Z, Biyan, R, Kirste, M, Hoffmann, R, Dalmau, B, Moody, Y, Kumagai, T, Nagashima, Y, Kubota, T, Kinoshita, A, Koukitu, D, L, Irving
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
  • 発表場所: 札幌コンベンションセンター
  • 年月日: 2012-10-16
• [学会発表] Homoepitaxial growth of thick AIN layers by HYPE on bulk AIN substrates prepared by PVT (2012)
  • 著者名/発表者名: R, Sakamaki, Y, Kubota, T, Nagashima, T, Kinoshita, R, Dalmau, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, H, Murakami, Y、Kumagai, A, Koukitu, Z, Sitar
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
  • 発表場所: 札幌コンベンションセンター
  • 年月日: 2012-10-15
• [学会発表] Predictive Calculations of Defect Properties using Hybrid Exchange DFT: Applications to Optically Active Impurities in AIN (2012)
  • 著者名/発表者名: B, E, Gaddy, R, Collazo, J, Xie, Z, Bryan, R, Kirste, M, Hoffmann, R, Dalmau, B, Moody, Y, Kumagai, T, Nagashima, Y, Kubota, T, Kinoshita, A, Koukitu, Z, Sitar, D, L, Irving
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
  • 発表場所: 札幌コンベンションセンター
  • 年月日: 2012-10-15
• [学会発表] バルクPVT基板上HVPE成長によるAIN自立基板の作製 (2012)
  • 著者名/発表者名: 坂巻龍之介, 久保田有紀, 永島徹, 木下亨, R, Dalmau, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯, Z, Sitar
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学文京キャンパス
  • 年月日: 2012-09-13
• [学会発表] HVPE成長フリースタンディングAIN基板の異方性を考慮した分光エリプソメトリー評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 岡本浩, 佐藤崇信, 堤浩一, 鈴木道夫, 熊谷義直, 久保田有紀, 永島徹, 木下亨, R, Dalmau, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, 村上尚, 纐纈明伯, Z, Sitar
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学文京キャンパス
  • 年月日: 2012-09-13
• [学会発表] PVT基板上に成長したCドープHVPE法AIN厚膜の光学特性と構造特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 永島徹, 久保田有紀, 木下亨, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯, Z, Sitar
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学文京キャンパス
  • 年月日: 2012-09-13
• [学会発表] Deep-UV Transparent AlN Substrates Prepared by HVPE for UV-C LED Applications
  • 著者名/発表者名: T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
  • 学会等名: Conference on LED and Its Industrial Application '13
  • 発表場所: パシフィコ横浜
• [学会発表] Fabrication of DUV-LEDs on AlN Substrates
  • 著者名/発表者名: T. Kinoshita, T. Obata, T. Nagashima, H. Yanagi, J. Xie, R. Collazo, S. Inoue, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
  • 学会等名: Conference on LED and Its Industrial Application '13
  • 発表場所: パシフィコ横浜
  • 招待講演
• [学会発表] HVPE法によるAlN基板作製と260 nm帯深紫外LEDへの応用
  • 著者名/発表者名: 熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 応用物理学会応用電子物性分科会研究例会「ワイドギャップ半導体の基板から展開するデバイス ～実用デバイスへの展開～」
  • 発表場所: 京都テルサ
  • 招待講演
• [学会発表] HVPE法による深紫外光透過性を有する高品質AlNの成長
  • 著者名/発表者名: 額賀俊成，坂巻龍之介，久保田有紀，永島徹，木下亨，B. Moody，J. Xie，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯，Z. Sitar
  • 学会等名: 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 大阪大学銀杏会館
• [学会発表] DUV-LEDs Fabricated on HVPE-AlN Substrates
  • 著者名/発表者名: T. Kinoshita, T. Obata, T. Nagashima, H. Yanagi, J. Xie, R. Collazo, S. Inoue, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
  • 学会等名: 10th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Washington, D.C., U.S.A.
  • 招待講演
• [学会発表] Donor-Acceptor Pair Compensation and the Broad 2.8 eV Luminescence in Bulk AlN
  • 著者名/発表者名: B. E. Gaddy, Z. A. Bryan, I. S. Bryan, R. Kirste, J. Xie, R. Dalmau, B. Moody, Y. Kumagai, T. Nagashima, Y. Kubota, T. Kinoshita, A. Koukitu, Z. Sitar, R. Collazo and D. L. Irving
  • 学会等名: 10th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Washington, D.C., U.S.A.
• [学会発表] Influence of Growth Temperature on Homo-Epitaxial Growth of AlN by HVPE on PVT-AlN Substrates
  • 著者名/発表者名: T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
  • 学会等名: 10th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Washington, D.C., U.S.A.
• [学会発表] Vacancy Defects in UV-Transparent HVPE-AlN
  • 著者名/発表者名: T. Kuittinen, F. Tuomisto, Y. Kumagai, T. Nagashima, T. Kinoshita, A. Koukitu, R. Collazo and Z. Sitar
  • 学会等名: 10th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Washington, D.C., U.S.A.
• [学会発表] Growth of high quality AlN with deep-UV transparency by HVPE
  • 著者名/発表者名: T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス
• [学会発表] Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport
  • 著者名/発表者名: 熊谷義直，久保田有紀，永島徹，木下亨，R. Dalmau，R. Schlesser，B. Moody，J. Xie，村上尚，纐纈明伯，Z. Sitar
  • 学会等名: 第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス
  • 招待講演
• [学会発表] Influence of growth parameters on homo-epitaxial growth of thick AlN layers by HVPE on PVT-AlN substrates
  • 著者名/発表者名: Y. Kumagai, T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, A. Koukitu, Z. Sitar
  • 学会等名: 8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Seeon, Germany
  • 招待講演
• [学会発表] Properties of homoepitaxial AlN layers grown by HVPE on PVT-AlN substrates
  • 著者名/発表者名: T. Nagashima, Y. Kubota, R. Okayama, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, R. Collazo, Z. Sitar
  • 学会等名: 8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Seeon, Germany
  • 招待講演
• [学会発表] HVPE炉内高温雰囲気下におけるAlN単結晶表面の劣化
  • 著者名/発表者名: 坂巻龍之介，額賀俊成，平連有紀，永島徹，木下亨，B. Moody，村上尚，R. Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Z. Sitar
  • 学会等名: 第43回結晶成長国内会議
  • 発表場所: 長野市生涯学習センター
• [学会発表] HVPE法によるPVT-AlN基板上ホモエピタキシャル成長における成長速度増加の検討
  • 著者名/発表者名: 額賀俊成，坂巻龍之介，平連有紀，永島徹，木下亨，B. Moody，村上尚，R. Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Z. Sitar
  • 学会等名: 第43回結晶成長国内会議
  • 発表場所: 長野市生涯学習センター
• [学会発表] Performance of DUV-LEDs fabricated on HVPE-AlN substrates
  • 著者名/発表者名: T. Kinoshita, T. Obata, T. Nagashima, H. Yanagi, B. Moody, R. Collazo, S. Inoue, Y. Kumagai, A. Koukitu, Z. Sitar
  • 学会等名: 2014 Photonics West
  • 発表場所: San Francisco, U.S.A.
  • 招待講演
• [備考]
  • URL: http://www.tuat.ac.jp/disclosure/pressrelease/2012/20121225135159/index.html