| 研究課題/領域番号 |
24360012
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
柿本 浩一 九州大学, 応用力学研究所, 教授 (90291509)
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| 研究分担者 |
西澤 伸一 独立行政法人産業技術総合研究所, エネルギー技術部門, 研究グループ長 (40267414)
中野 智 九州大学, 応用力学研究所, 技術専門職員 (80423557)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
18,070千円 (直接経費: 13,900千円、間接経費: 4,170千円)
2014年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2013年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2012年度: 9,620千円 (直接経費: 7,400千円、間接経費: 2,220千円)
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| キーワード | 昇華法 / ワイドバンドギャップ / SiC / 結晶成長 / シリコンカーバイド / 転位 / 残留応力 / 結晶性長 / 3次元解析 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、電磁場加熱法によるSiCバルク単結晶の昇華法対象として,SiCバルク単結晶の結晶多形の安定性について2次元核生成の観点から不純物添加依存性について検討を行った。本研究で新たに開発したグローバル伝熱解析計算コードは、結晶表面と原料表面における窒素やアルミニウムの不純物添加による表面エネルギーの変化を原子レベルで解析し、これをマクロな総合伝熱解析に用いることにより、結晶多形の結晶成長依存性について世界で初めて解析することに成功した。さらに、今までこんなんとされてきた転位密度分布の3次元解析に関しても、時間依存の解析を行うことにより、定量的な予測が可能となった。
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