| 研究課題/領域番号 |
24360021
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 |
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研究代表者 |
間瀬 一彦 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 物質構造科学研究所, 准教授 (40241244)
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| 研究分担者 |
小澤 健一 東京工業大学, 大学院理工学研究科, 助教 (00282822)
垣内 拓大 愛媛大学, 大学院理工学研究科, 助教 (00508757)
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| 連携研究者 |
長岡 伸一 愛媛大学, 大学院理工学研究科, 教授 (30164403)
奥平 幸司 千葉大学, 大学院融合科学研究科, 准教授 (50202023)
田中 正俊 横浜国立大学, 大学院工学研究院, 教授 (90130400)
奥沢 誠 群馬大学, 教育学部, 教授 (50112537)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
19,630千円 (直接経費: 15,100千円、間接経費: 4,530千円)
2014年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2013年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2012年度: 14,040千円 (直接経費: 10,800千円、間接経費: 3,240千円)
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| キーワード | 表面 / 局所電子状態 / 電子励起ダイナミクス / 光電子分光 / オージェ電子分光 / コインシデンス分光 / 半導体 / 吸着分子 / 半導体表面 / 電子励起誘起イオン脱離 |
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| 研究成果の概要 |
オージェ電子－光電子コインシデンス分光を用いて清浄Si(111)-7×7は金属的、H/Si(111)-7×7は半導体的、H2O/Si(111)-7×7は両者の中間であることを示した。また、コインシデンス分光器を改良してオージェ電子と光電子のエネルギー分解能（E/DE）をそれぞれ= 84 、55に高めた。本装置を用いてSi(111)-7×7のSi 2s正孔は、１）Si L1L23Vオージェ過程、価電子正孔の非局在化、 Si L23VVオージェ過程、あるいは２）Si L1VVオージェ過程で緩和すること、Si L1L23V過程とSi L1VV過程の分岐比は 96.7 : 3.2 であることを示した。
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