研究課題
基盤研究(B)
n型不純物としてSを含むGaP単結晶基板にp型不純物のZnをイオン注入し作製したGaP pnホモ接合バルク結晶に対してドレスト光子フォノン援用アニール法を適用した結果、バンドギャップより高エネルギー領域における電流注入発光に成功した。このアニール時の注入電子数と照射光子数が1:1.3になる時に最も良い結果を得た。この結果よりドレスト光子フォノン援用アニールの基礎が誘導放出であることを確認した。
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