| 研究課題/領域番号 |
24360111
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電力工学・電力変換・電気機器
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| 研究機関 | 九州工業大学 |
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研究代表者 |
松本 聡 九州工業大学, 大学院工学研究院, 教授 (10577282)
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| 研究分担者 |
新海 聡子 九州工業大学, マイクロ化総合技術センター, 准教授 (90374785)
西澤 伸一 産業技術総合研究所, エネルギー技術部門, グループリーダー (40267414)
馬場 昭好 九州工業大学, マイクロ化総合技術センター, 准教授 (80304872)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2014年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2013年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
2012年度: 6,890千円 (直接経費: 5,300千円、間接経費: 1,590千円)
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| キーワード | 集積化電源 / Si on Diamond / 排熱 / 抜熱 / SOD基板 / ウエハー接合技術 / パワーSoC / SOD / パワーIC / DC-DCコンバータ / 集積化パワーシステム / パワーSOC / パワーMOSFET / 高温動作 / 実装 |
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| 研究成果の概要 |
電源の研究開発トレンドは小型化であり、電源の究極の小型化が実現できるパワーSoC(Supply on Chip)が注目を集めている。電源の小型化に対しては、スイッチング周波数の高周波化が有効な手段の１つである。一方,電源の小型化は発熱の問題で限界に達する。SOI（Silicon on Insulator）基板は寄生容量を低減できるため高周波スイッチングに適した基板技術であるが、埋め込み酸化膜の熱伝導率が小さく発熱の問題が有る。本研究では、SOIの埋め込み絶縁膜として熱伝導率の大きなダイヤモンド薄膜を用いたSOD基板の製造方法について提案するとともにその効果を明らかにする。
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