| 研究課題/領域番号 |
24360120
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
志村 考功 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (90252600)
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| 連携研究者 |
渡部 平司 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90379115)
細井 卓冶 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (90452466)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2014年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2013年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
2012年度: 6,890千円 (直接経費: 5,300千円、間接経費: 1,590千円)
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| キーワード | 電気・電子材料 / 作成・評価技術 / エピタキシャル成長 / 半導体 / ゲルマニウム / 格子歪み |
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| 研究成果の概要 |
急速加熱処理による液相エピタキシャル法により単結晶 Ge細線を作製し、そのトランジスタにより電気特性を評価した。熱処理時間を最適化することにより良好なトランジスタ特性を得ることができた。正孔移動度はピーク値で 500 cm2/Vs に達し、比較用Siデバイスに対して約1.6倍の値を示した。また、光学特性評価により直接遷移に起因する発光ピークの90 nmの長波長側へのシフトを測定し、約0.4%の引張り歪みに起因する45 meVのバンドギャップの減少を確認した。
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