| 研究課題/領域番号 |
24360124
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 佐賀大学 |
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研究代表者 |
嘉数 誠 佐賀大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (50393731)
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| 研究分担者 |
白石 賢二 名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授 (20334039)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
19,370千円 (直接経費: 14,900千円、間接経費: 4,470千円)
2014年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2013年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2012年度: 14,430千円 (直接経費: 11,100千円、間接経費: 3,330千円)
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| キーワード | ダイヤモンド / キャリア伝導 / 電子電気材料 / 結晶工学 / 電気・電子材料 / 半導体 / 酸化物 / 窒化物 |
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| 研究成果の概要 |
ダイヤモンド表面の超高濃度のキャリアの生成機構を明らかにした。①水素終端ダイヤ表面の正孔生成はNO2吸着によることを突き止め、半導体として極めて高濃度の正孔キャリアが得た。②Al2O3薄膜をALD法で堆積することによる熱的安定化を見出し、ダイヤFETの安定動作が可能にした。③シンクロトロン電子分光法で酸素に由来する界面準位を見出し、バンド構造を決定した。④ダイヤFETのCV測定を行い界面電荷、界面準位の密度を導出した。第一原理計算からNO2のSOMO準位による機構を提案した。上記の技術を用いたダイヤモンドFETを作製し世界最高水準のDC,RF特性を示した。
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