| 研究課題/領域番号 |
24360131
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 千葉大学 |
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研究代表者 |
橋本 研也 千葉大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (90134353)
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| 研究分担者 |
藤井 知 千葉大学, 事務局, 特任研究員 (30598933)
大森 達也 千葉大学, 大学院工学研究科, 助教 (60302527)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円)
2014年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2013年度: 7,150千円 (直接経費: 5,500千円、間接経費: 1,650千円)
2012年度: 9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円)
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| キーワード | 弾性表面波 / 単結晶ダイヤモンド / AlN / Sc-AlN / 共振子 / 単結晶 / ダイヤモンド / SAWデバイス / ScAlN / 発振器 / スパッタ |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、単結晶ダイヤモンド(SCD)基板を利用して、際立った性能の弾性表面波(SAW)デバイスを実現し、新たな工学領域を創出することを目的とした。
まず、高品質AlN薄膜をSCD上に堆積し、5 GHz帯でQが5700の高性能SAW共振子を実現した。また、SCD表面の平滑性が素子性能に大きく影響することを示した。次に、圧電性の大きいSc-AlNをSCD上に堆積し、既存の圧電基板では実現困難な3 GHz帯でも低損失で広帯域なSAWフィルタが実現できることを示した。
さらに、これらの圧電薄膜/高音速基板構造では電極膜厚の影響により実効的な圧電性を大きく向上できることを明らかにした。
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