研究課題
基盤研究(B)
本研究では、波長が1.7 - 2.5ミクロンの近赤外光の長波長(LNIR)域で動作するSi上Ge受発光素子の実現に向け、Ge片持ち梁構造の弾性変形を用いた引っ張りひずみ導入および顕微フォトルミネセンス(PL)測定による直接遷移禁制帯幅の評価を行った。Ge単層から構成される片持ち梁構造を外力により弾性変形させることで、約2%の一軸性ひずみを誘起でき、PL発光ピークが1.57ミクロンから約1.85ミクロンに長波長化した。直接遷移禁制帯幅が減少したことを示している。Geへの引っ張りひずみの導入により、LNIR域で動作する光デバイスへ展開できることを示している。
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IEICE Electronics Express
巻: 11 号: 24 ページ: 20142008-20142008
10.1587/elex.11.20142008
130004939926
http://www.emat.t.u-tokyo.ac.jp/