| 研究課題/領域番号 |
24360145
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
通信・ネットワーク工学
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
浅井 哲也 北海道大学, 情報科学研究科, 准教授 (00312380)
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| 連携研究者 |
柳田 剛 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (50420419)
石村 憲意 北海道大学, 大学院情報科学研究科
宮 曦媛 北海道大学, 大学院情報科学研究科
松浦 正和 北海道大学, 大学院情報科学研究科
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円)
2014年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2013年度: 7,410千円 (直接経費: 5,700千円、間接経費: 1,710千円)
2012年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
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| キーワード | メモリスタ / シナプス / 電子回路 / 抵抗変化メモリ / ReRAM / アナログ電子回路 / 反応拡散系 / 神経細胞 |
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| 研究成果の概要 |
抵抗変化メモリを用いた新規情報処理回路の開拓を行なった。主に、i) 用いたバイポーラ型抵抗変化メモリ素子がメモリスタの数理モデルと質的に等価であること, ii) バイポーラ型抵抗変化メモリ素子とキャパシタからなるCR回路にスパイク電圧を与えた場合、スパイク前後でメモリ素子のコンダクタンスが変化しないこと, iii) 上記ii)のキャパシタの充放電過程において、キャパシタの電荷をリークさせることにより、スパイク前後でメモリ素子のコンダクタンスが増加すること, および、iv) 上記ii)とiii)により、タイミングに応じてコンダクタンスが変化するシナプスデバイスが構成可能であることを明らかにした。
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