| 研究課題/領域番号 |
24360269
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
吉本 護 東京工業大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (20174998)
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| 研究分担者 |
淀 徳男 大阪工業大学, 工学部, 教授 (70288752)
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| 連携研究者 |
松田 晃史 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 講師 (80621698)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
14,950千円 (直接経費: 11,500千円、間接経費: 3,450千円)
2014年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2013年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2012年度: 8,190千円 (直接経費: 6,300千円、間接経費: 1,890千円)
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| キーワード | 結晶構造制御 / 一軸圧縮 / 酸化物薄膜 / 固相結晶化 / エピタキシャル成長 / 酸化バナジウム / 酸化モリブデン / 固相結晶成長 / 層状構造 / 酸化物 / 結晶構造 / 組織制御 / 超機能創出 / 表面ナノ修飾基板 / ナノインプリント |
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| 研究成果の概要 |
一軸圧縮下での固相結晶化による特異な酸化物構造誘起をねらった本研究では、主に非晶質酸化物（VOxやMoOx）薄膜を表面ナノパターン加工された基板に堆積した後に、上下から加圧下挟み込みでの熱処理による固相結晶化過程を検討した。その結果、低加圧ではエピタキシャルVO2薄膜となり、高加圧下ではエピタキシャルV2O3薄膜という相選択的固相成長が達成された。これは一軸圧縮下加熱時のVOｘ層状構造内での酸素脱離が重要な役割を果たしていることが示唆された。
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