| 研究課題/領域番号 |
24360302
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
光田 好孝 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (20212235)
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| 連携研究者 |
野瀬 健二 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (10451882)
神子 公男 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (80334366)
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| 研究協力者 |
小田 信彦
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
17,550千円 (直接経費: 13,500千円、間接経費: 4,050千円)
2014年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2013年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2012年度: 9,360千円 (直接経費: 7,200千円、間接経費: 2,160千円)
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| キーワード | 酸化スズ / 透明導電膜 / 光透過性 / 電気伝導性 |
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| 研究成果の概要 |
研究代表者らは、PLD法とアニールを用いてSnO:Nb配向膜を堆積することに成功していた。この成果を活かしNドープによる正孔伝導性のSnO2膜の作製に取り組んだ。
このために、まず、ドープNの脱離防止を目指してPLD法にプラズマを重畳させたプラズマ支援レーザーアブレーション法を開発した。次に、開発したプラズマ支援レーザーアブレーション法とSnO2シード層を用いて、SnO2:N膜の堆積を試みた。この結果、高結晶性SnO2薄膜を得ることに成功したものの、これらの膜は、全てn型伝導性を示し、残念ながら、p型導電膜を得ることはできなかった。これは、窒素ドープにより酸素空孔が増加したためと考えられる。
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