| 研究課題/領域番号 |
24360307
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
伊藤 和博 大阪大学, 接合科学研究所, 教授 (60303856)
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| 研究分担者 |
小濱 和之 大阪大学, 接合科学研究所, 助教 (00710287)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
17,940千円 (直接経費: 13,800千円、間接経費: 4,140千円)
2014年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2013年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2012年度: 11,830千円 (直接経費: 9,100千円、間接経費: 2,730千円)
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| キーワード | Cu配線 / 熱処理 / Cu(Mg) / Cu(Ti) / 抵抗率 / 密着性 / 接触抵抗 / IGZO / Cu合金膜 / マグネシウム / チタン / ITO |
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| 研究成果の概要 |
電子デバイス高効率化は革新的な半導体探索のみならず、半導体に電力を供給する配線と電極/半導体界面のエネルギー損失低減によっても達成される。液晶やタッチパネルでもCuを候補材料として検討したいが、Cuとガラス基板や誘電体との低密着性など克服すべき課題が多い。本研究では、低抵抗・高密着なCu合金膜をガラス基板上に、従来より低温で作製できるか検討し、合金元素としてMgを適用すると100℃の低温化に成功した。また、最新の駆動用IGZO-TFTに対して、ITO/Cu(M)/IGZOなる構造を作製し、各界面の接触抵抗値を低減できる最適な合金元素を決定し、接触抵抗値が低減できる機構を解明した。
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