| 研究課題/領域番号 |
24360318
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
化工物性・移動操作・単位操作
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
宮原 稔 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60200200)
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| 研究分担者 |
田中 秀樹 京都大学, 工学研究科, 講師 (80376368)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
19,760千円 (直接経費: 15,200千円、間接経費: 4,560千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2012年度: 14,170千円 (直接経費: 10,900千円、間接経費: 3,270千円)
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| キーワード | 吸着 / 細孔壁原子密度分布 / 分子シミュレーション / 極低温He物理吸着TPD / 細孔壁ラフネス / 極低温TPD-MS |
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| 研究成果の概要 |
本研究では極低温He物理吸着TPD測定と分子シミュレーションを援用することで，合理的なラフネス同定法を構築し，表面と空間という，統合的なナノ空間の特性評価手法を開発することを目的とした。本TPD装置は，極低温環境（～4 K）とすることで，吸着力の弱いHe原子に対しても，その物理吸着エネルギーが熱運動エネルギーを凌駕する状態を創出し，昇温脱離法の適用を可能としたものである。当該研究ではMCM-41やSBA-15のAtomistic modelの構築とその吸着エネルギー分布の評価を行い，極低温He物理吸着TPD測定結果との比較検討を行うことで，合理的なラフネス同定法構築についての指針を得た。
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