研究課題
基盤研究(C)
硫酸セシウム存在下における水熱合成法により、規則的配列した酸化タングステンナノロッド薄膜をタングステン金属基板上に直接合成することに成功した。得られた酸化タングステンナノロッド薄膜は、XRD、SEM、TEM、HRTEM、DRS、XPSによって特徴づけられた。この酸化タングステンナノロッド薄膜の光触媒活性を評価したところ、酸化タングステンナノプレート薄膜や酸化チタンナノロッド薄膜よりも高い性能を有していた。また、光触媒反応を繰り返し行っても、活性の低下は確認されず優れた安定性を有していた。
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