| 研究課題/領域番号 |
24510160
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
鷺坂 恵介 独立行政法人物質・材料研究機構, 極限計測ユニット, 主任研究員 (70421401)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2013年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2012年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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| キーワード | ドーパント / シリコン / 走査型トンネル顕微鏡 / 第一原理計算 / 走査トンネル分光 / トンネル分光 |
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| 研究成果の概要 |
走査型トンネル顕微鏡(STM)および密度汎関数(DFT)法に基づくSTMシミュレーションを用いて、Si(100)表面第一層に埋め込まれたリン(P)-シリコン(Si)ヘテロダイマーの電子状態を調べた。先行研究によれば、P-SiヘテロダイマーはP原子が真空側に突き出し、Si原子が表面側に沈み込んだバックリング構造をとるとされている。しかし精密なSTM計測とDFT計算を行ったところ、ヘテロダイマーはP原子が表面側に沈み込んだ構造であることが判明した。またヘテロダイマーのSi原子側にはフェルミ準位付近に強い状態を持つことや、P原子と空孔の対はスピン偏極した状態を持つ可能性があることが明らかになった。
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