| 研究課題/領域番号 |
24510164
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
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| 研究機関 | 独立行政法人情報通信研究機構 |
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研究代表者 |
田中 秀吉 独立行政法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所ナノICT研究室, 研究マネージャー (40284608)
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| 研究分担者 |
鈴木 仁 国立大学法人広島大学, 先端物質科学研究科, 准教授 (60359099)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
2014年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2013年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2012年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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| キーワード | グラフェンナノ構造 / 原子間力顕微鏡 / CVD / LCPD / 酸化物基板 / 超高真空プロセス |
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| 研究成果の概要 |
基板上の特定部位でグラフェンを真空下CVD成長させる手法を構築し、得られたグラフェンナノ構造を外気に暴露することなく走査型プローブ顕微鏡によって観察した。その結果、Cu薄膜上における成長初期段階では三角型と六角型の２種類のクラスタが出現するが成長が進むにつれて六角型のみとなり、特定の条件下ではその一部が横幅10nm程度のリボン構造となることが分かった。さらにプロセスが進行すると、表面に0.18～0.33nm程度の基本ステップを持つシート構造がスタッキング形成されるようになり、その局所仕事関数の値がスタッキング数の増加に伴ってグラファイトの仕事関数値に近い4.7eVに収束する様子が観測された。
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