| 研究課題/領域番号 |
24540328
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 日本大学 |
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研究代表者 |
石田 浩 日本大学, 文理学部, 教授 (60184537)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2014年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2013年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2012年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | トポロジカル絶縁体 / 表面エネルギーバンド / 密度汎関数法 / 動的平均場理論 / 時間反転対称性 / スピン軌道相互作用 / Rashba効果 / バンド反転 / スピントロニクス / 表面Diracバンド / embedded Green関数法 / 表面ディラック状態 / 第一原理計算 / エムベディッドGreen関数法 / 強相関ヘテロ構造 / エムベッディッドGreen関数法 |
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| 研究成果の概要 |
トポロジカル絶縁体の電子構造を理論計算により研究した。トポロジカル絶縁体を特徴づけるのは金属的な表面局在状態である。本研究では、通常の薄膜近似ではなく、エムベッディッドGreen関数法を用いて半無限結晶表面を取り扱うことにより、Bi2Se3などトポロジカル絶縁体の表面エネルギーバンドを、密度汎関数法の範囲で第一原理から正確に計算した。またエムベッディングポテンシャルのギャップ中の振舞いから、結晶がトポロジカルに自明か非自明かを区別できることを見出した。平行して、電子間の反発力を取り入れたモデルハミルトニアンを用いて、トポロジカル絶縁体とMott絶縁体界面の電子構造を動的平均場理論により調べた。
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