| 研究課題/領域番号 |
24540363
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
内田 和人 東京大学, 物性研究所, その他 (20422438)
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| 研究分担者 |
長田 俊人 東京大学, 物性研究所, 准教授 (00192526)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2014年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2013年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2012年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | グラフェン / ディラック電子系 / 超薄膜 / マイクロ・ナノデバイス / 歪み / 音波 |
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| 研究成果の概要 |
大気あるいはヘリウムガス等の気体雰囲気中において、表面に微細な構造をもつ振動体を薄膜に近接することにより、表面構造と同様の幾何学的パターンをもつ歪みが薄膜に誘起されることが確かめられた。この技術は、機械的接触なしに原子層あるいは薄膜表面の歪みを空間的（幾何学的）および動的（強度、周波数）に制御できる可能性を示すものであり、歪みを利用した電子デバイスの開発や薄膜試料の性能評価等に極めて有効であると思われる。また、二層グラフェン試料を作製し、電荷中性点近傍での電気伝導測定を行ったが、歪みの電子系への影響については現象の再現性が良くなく、より良質の架橋グラフェン試料による実験が課題として残された。
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