| 研究課題/領域番号 |
24540546
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
プラズマ科学
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
布村 正太 独立行政法人産業技術総合研究所, 太陽光発電工学研究センター, 主任研究員 (50415725)
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| 連携研究者 |
坂田 功 産業技術総合研究所, 太陽光発電工学研究センター (60357100)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2014年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2013年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2012年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | プラズマ / 半導体 / 太陽電池 / 欠陥 / プラズマＣＶＤ / アモルファスシリコン / 光電流 / キャリア輸送 / トラップ / ＰＥＣＶＤ / 半導体薄膜 / その場測定 / 実時間観測 / プラズマプロセス / トラップキャリア |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、プラズマプロセス下における半導体デバイスの欠陥形成機構を明らかにすることを目的に、プロセス中の半導体材料の輸送特性を評価し、以下の成果を得た。
プロセス中の半導体材料の光電流測定に基づいたキャリア輸送と欠陥のその場評価法を開発した。太陽電池用途の水素化アモルファスシリコンの成長プロセスに本手法を適用し、成長表面に約20nm以下の表面欠陥層が存在し、その下側にバルク層が成長することを明らかにした。表面欠陥層は、プロセス直後の熱アニールによって修復可能であり、キャリアの輸送特性は熱アニール後に約一桁向上することを見いだした。
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