研究課題
基盤研究(C)
表面自由エネルギー密度は結晶のモルフォロジーを議論する上で重要な値である。結晶面の成長速度と表面自由エネルギー密度は比例関係にあり、これはウルフの関係としてよく知られている。本研究では液体の接触角を用いて単結晶の表面自由エネルギー密度の測定を行った。結晶表面では液体接触角の分布が非常に広く、これはステップ自由エネルギーが理想的な平面の表面自由エネルギー密度に加算されているためであると考えられる。本研究ではステップの少ない面を観測する目的で水晶の研磨面を用いた。z面においては正のステップ自由エネルギーが観測されたのに対し、m面では負のステップ自由エネルギーが観測された。
すべて 2014 2013 2012
すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (16件) (うち招待講演 1件)
Journal of Crystallization Process and Technology
巻: 4 号: 04 ページ: 177-184
10.4236/jcpt.2014.44022
J. Crystallization Process and Technology
巻: 3 号: 04 ページ: 119-122
10.4236/jcpt.2013.34019