| 研究課題/領域番号 |
24550212
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
機能材料・デバイス
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| 研究機関 | 島根大学 |
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研究代表者 |
山口 勲 島根大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (00272708)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2013年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2012年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 導電性高分子 / 熱電変換素子 / 電気伝導度 / ゼーベック係数 / 熱電変換 / π共役高分子 |
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| 研究成果の概要 |
フレキシブル熱電変換素子用のソフトマテリアルを開発することを目的として、p型とn型導電性高分子を合成し、それらの電気的諸物性を調べた。(1) ポリアニリンスルホン酸のスルホ基をナトリウム塩化すると、スルホ基による自己ドーピングが阻害されて、高分子のキャリア濃度とゼーベック係数の制御が可能であることが分かった。(2) 側鎖にナトリウムイオンを包接可能なクラウンエーテル環(CE)をもつn型共役高分子を合成した。このn型共役高分子をナトリウムナフタレニドでn-ドーピングすると、ドーパントカチオン(Na+)がCE部分に包接されることで、空気中でのn-ドーピング状態が大幅に向上することが分かった。
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